功率(Pd) | 225mW | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V,220mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
漏源电压(Vdss) | 50V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 220mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@1mA |
BSS138是一款广泛应用于电子电路中的N沟道场效应管(MOSFET),其主要特点包括:最大功率输出225mW、漏源电压为50V、最大连续漏极电流为220mA。该产品由知名品牌Slkor(萨科微)制造,封装形式为SOT-23,使得其在体积上具有优势,适合于空间有限的应用场合。本产品的工作温度范围为-55℃至+150℃,确保其在不同环境下的稳定性和可靠性。
导通电阻(RDS(on))
BSS138在栅源电压(Vgs)为10V,漏极电流(Id)为220mA时,其导通电阻为3.5Ω。这使得MOSFET在开启状态下表现出较低的电阻,从而有效降低开关损耗,提升整体电路的效率。
阈值电压(Vgs(th))
该产品的阈值电压为1.6V@1mA,意味着在此电压下,BSS138将开始导通。在低电压驱动的应用中,这一特性尤其重要,因为它能够实现较小的输入电压即可控制MOSFET的开关状态。
输入电容(Ciss)
BSS138在漏源电压(Vds)为25V时,其输入电容为50pF。这一特性影响中频信号的开关时间和电的输入能力,较小的输入电容有助于提高驱动速度,增强开关频率性能。
BSS138适用于多种电子应用场景,其特点使其成为理想选择的原因主要体现在以下几方面:
开关电路
作为N沟道MOSFET,BSS138可广泛用于开关电路设计,能够高效地进行负载开关控制。其低RDS(on)特性保证了在导通状态下不会产生过多的热量,从而提高了系统的整体能效。
低功耗设备
该MOSFET在低阈值电压下开始导通的特性使其非常适合于低功耗设备,如便携式电源、传感器和小型家用电器等。这些应用通常要求在不牺牲性能的前提下实现最低的功耗。
信号调理与处理
由于BSS138的较小输入电容和快速开关特性,它也可以用于音频信号的放大与调理。在音频设备中,MOSFET可作为信号的开关,调节信号路径,实现动态的音频处理。
LED驱动
BSS138也可应用于LED驱动电路中,通过MOSFET快速切换,可以控制LED灯的亮度或实现闪烁效果。
BSS138在行业中的竞争力不仅得益于其强大的电气特性与多样化的应用,它的制造商Slkor(萨科微)在电子元器件市场中以其高品质、可靠性和良好的客户服务而著称。此外,SOT-23封装的小巧设计方便了设计师在狭小空间中布局,提升了电路设计的灵活性。
综上所述,BSS138是一款性能优越、应用广泛的N沟道MOSFET,凭借其良好的导通性能、较低的开关损耗和广泛的工作温度范围,适用于现代电子产品的设计与开发。无论是在开关电路、低功耗设备还是高频信号处理方面,BSS138都能为设计者提供可靠的解决方案。对于寻求高效、低成本解决方案的电子工程师而言,BSS138将是一个理想的选择。