DF2B36FU,H3F
DF2B36FU,H3F参数
| 类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 28V | 电压 - 击穿（最小值） | 32V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 40V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 150W | 电源线路保护 | 无 |
| 不同频率时电容 | 6.5pF @ 1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 | 供应商器件封装 | USC |
DF2B36FU,H3F手册
DF2B36FU,H3F概述
DF2B36FU, H3F 产品概述
一、产品基本信息
DF2B36FU, H3F 是由东芝（TOSHIBA）公司生产的一款表面贴装型双向齐纳瞬态电压抑制器（TVS），设计用于电气过压保护，尤其是针对静电放电（ESD）事件的防护。它采用了 SC-76 封装（也称为 SOD-323），具有紧凑的体积和轻量化的特点，使其适合于高密度电路板应用。
二、产品特点
双向保护：DF2B36FU, H3F 是一个双向抑制器，可以有效地保护电路设备免受反向和正向的瞬态过电压。
适应性强：其典型的反向断态电压为 28V，最小击穿电压为 32V，适合多种低压电路的防护需求，确保设备的安全运行。它的最大箝位电压为 40V，能够在瞬态脉冲下保持电路安全。
高功率处理能力：该器件能够承受高达 150W 的峰值脉冲功率，支持长达 10/1000µs 或 8/20µs 的脉冲电流高达 1A，使其可以应对常见的电气干扰和瞬态瞬变。
低容量设计：在 1MHz 频率下的电容值为 6.5pF，表示其在高速信号传输中不会显著引入额外的信号衰减，非常适合用于大多数通信和数据传输电路。
可靠性和耐用性：作为瞬态电压抑制器，DF2B36FU, H3F 具有极高的可靠性，能够有效延长下游设备的使用寿命，并减少因电压突变而造成的故障和停机。
三、应用场景
DF2B36FU, H3F 圆通用在如下场合：
- 消费电子：手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备的保护，确保其免受外部静电放电和电压过冲的影响。
- 工业设备：在工厂自动化设备或传感器中，保护电路免受意外电压波动和过载。
- 通信设备：在网络设备和通信基站中，提高抗干扰能力，确保数据传输的稳定性和安全性。
- 汽车电子：在汽车controller、但是车载通信设备中，防止静电和电气噪声对设备的影响。
四、封装与选择
DF2B36FU, H3F 采用 SC-76（SOD-323）封装，使其在设计布局中非常灵活，能够适应现代小型化设计的趋势。它的引脚间距和功能设计使其与众多现有设备兼容，是各种设计和工程师的理想选择。
五、总结
综上所述，DF2B36FU, H3F 是一款性能优越、可靠性极强的双向齐纳瞬态电压抑制器，广泛适用于需要电气保护的电子设备。其高波动耐受能力、低电容特性及紧凑的封装适应性，使其成为现代电子设计中不可或缺的关键组件。无论是在消费电子、工业设备还是通信领域，DF2B36FU, H3F 都可以为设备提供有效的过压保护，确保其长期稳定运行，是实现设备可靠性和安全性的理想选择。