SIR638ADP-T1-RE3
SIR638ADP-T1-RE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.88 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 165nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9100pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR638ADP-T1-RE3手册
SIR638ADP-T1-RE3概述
产品概述：SIR638ADP-T1-RE3
SIR638ADP-T1-RE3 是一款高性能的N沟道 MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）设计和生产。这款器件通过其优越的电气性能和广泛的应用范围，成为了高功率电子设备和开关电源设计中的理想选择。以下将详细介绍该产品的主要特性、技术参数及其典型应用。
技术特点
高漏源电压：SIR638ADP-T1-RE3 支持的漏源电压 (Vdss) 高达 40V，能够满足许多中等功率电子系统的需求。这种高电压特性使其在各种电力转换和处理应用中表现出色。
大电流能力：该MOSFET的连续漏极电流 (Id) 达到 100A（在适当的结温 Tc 下），这意味着其能够承载高负载电流，非常适合应用于电机驱动、功率放大器以及逆变器等高电流场景。
低导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，其最大导通电阻（Rds On）仅为 0.88 毫欧（在20A电流下），这在降低能量损耗和提高效率方面至关重要。降低的导通电阻使得该MOSFET在高频率下也能有效运行，这对于开关电源设计十分重要。
宽工作温度范围：该器件可以在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，使其适合于苛刻环境下的应用，比如工业设备和汽车电子系统。
高栅极电压容忍度：SIR638ADP-T1-RE3 的最大栅极电压可达+20V，-16V，提供了良好的逻辑兼容性和驱动灵活性，这保证了设计师能够在广泛的电源驱动电路中使用。
高功率耗散能力：其最大功率耗散能力高达104W（Tc），为高功率转换设计提供了良好的热管理基础，保障了产品在高性能工作条件下的稳定性。
紧凑的封装设计：采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装封装，不仅减少了电路板空间的占用，还提高了散热性能，满足现代电子产品对空间和热管理的严苛要求。
应用领域
SIR638ADP-T1-RE3 的设计使其适用于多种电子应用，典型的包括但不限于：
- 开关电源：广泛应用于各种电源适配器和转换器中，确保高效率的能量转换。
- DC-DC 转换器：适合用于高频 DC-DC 转换器，提升转换效率和输出稳定性。
- 电动机控制：应用于电动车辆和工业驱动器中，支持高电流快速开关，确保电动机高效运行。
- 逆变器：用于太阳能逆变器及其它能源转换应用，有助于减少能量损失。
- 消费电子设备：能够满足电视机、音响系统等消费电子产品对低功耗和高效能的需求。
结论
SIR638ADP-T1-RE3 作为一款高性能N沟道MOSFET，凭借其卓越的技术参数、广泛的应用场景以及可靠的性能，成为电源管理和功率转换领域中不可或缺的重要器件。其低导通电阻、高电流能力和优秀的热特性，充分满足现代电子设备对效率、体积及温度控制的要求，适合在高效、智能的电源方案中使用。选择SIR638ADP-T1-RE3，您将获得稳健的性能和广泛的应用灵活性，是设计电子产品时的一项优质选择。