BC847BM,315 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC847BM,315

商品编码: BM0201284191
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN DFN-3L(1x0.6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.262
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.262
--
500+
¥0.175
--
5000+
¥0.151
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC847BM,315参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值250mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-101,SOT-883供应商器件封装DFN1006-3

BC847BM,315手册

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BC847BM,315概述

产品概述:BC847BM,315 NPN晶体管

一、基本信息

BC847BM,315是一款NPN型的晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),采用的是表面贴装型封装DFN1006-3,具有很高的性能优势,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。该器件由著名品牌Nexperia(安世)制造,旨在满足现代电子产品对小型、高效能和耐高温组件的需求。

二、主要参数

  1. 电流和电压特性

    • 最大集电极电流(Ic):100mA
    • 最大集射极击穿电压(Vce):45V
    • 集电极截止电流(ICBO):15nA,表明该器件在关闭状态下漏电流极低,有助于降低功耗和提高电路的稳定性。
  2. 电压降特性

    • Vce饱和压降:在电流为5mA和100mA时,最大值为400mV。这意味着在开关状态时,该晶体管能够有效降低功率损耗,从而提升电路的整体效率。
  3. 增益性能

    • 直流电流增益(hFE):在Ic为2mA和5V时,最小增益为200,这使得该晶体管能够在相对较小的输入电流下控制较大的输出电流,对应于高效的信号放大。
  4. 功率和频率

    • 最大功率:250mW,显示了该器件在高温、高电流条件下的耐受性。
    • 跃迁频率:高达100MHz,适合于高频信号的处理,非常适合用于射频(RF)电路和快速开关应用。
  5. 环境耐受性

    • 工作温度范围:150°C(TJ),显示了其卓越的热稳定性和适应性,特别适合用于高温环境的应用。

三、封装与应用

BC847BM,315采用DFN1006-3封装,尺寸紧凑(1mm x 0.6mm),非常适合空间有限的电子电路设计。同时,该表面贴装设计使得其更易于自动化贴片装配,提高了生产效率和降低了组装成本。

四、应用领域

BC847BM,315的广泛应用包括但不限于:

  • 信号放大:可应用于音频放大小信号或视频信号放大电路,适合高保真音频设备。
  • 开关电路:主要用于高效开关电路,如电源管理、LED驱动器等。
  • 射频电路:由于其较高的跃迁频率,适用于射频放大器和调制解调器等。
  • 传感器和信号调理:在各类传感器应用中的信号调理,如温度传感器、压力传感器等。

五、结论

BC847BM,315是一款性能卓越的NPN晶体管,凭借其高电流增益、低饱和压降、卓越的功率承载能力和适应高温环境的特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。它不仅能够满足各种电路设计的需求,还能在高要求的应用中展现出可靠性和高效性,是电子工程师和产品开发者的首选。无论是用于消费电子、工业设备还是通信产品,BC847BM,315都能为用户提供出色的性能表现及高性价比。