功率(Pd) | 1.25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 33pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 108mΩ@4.5V,2.6A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@20V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 505pF@20V | 连续漏极电流(Id) | 3.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
PJA3441_R1_00001是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),具备1.25W功率处理能力,最大耐压为40V,以及最大电流为3.1A。这款MOSFET采用了标准的SOT-23封装,便于在面板和电路板上进行紧凑布局,是现代电子应用中不可或缺的关键组件之一。
提供这些规格和参数,使得PJA3441_R1_00001能够在多种电路应用中表现出色,尤其适合需要功率开关、信号放大及高效电源管理的场合。
PJA3441_R1_00001由于其优良的电气特性,广泛应用于以下领域:
在PJA3441_R1_00001的真实应用中,假设用于一个便携式LED照明设备,该MOSFET可以实现亮度调节功能。通过微控制器输出的PWM信号调制MOSFET的开关状态,从而准确控制LED的亮度。在这种应用场景下,选择P沟道MOSFET能够简化控制线路,减少次级元器件的数量。
PJA3441_R1_00001 P沟道MOSFET凭借其出色的参数规格,以及在各类应用中的灵活性,成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在电源管理、开关应用还是汽车电子方面,这款MOSFET都表现出良好的性能,其高效能和可靠性使其成为工程师和设计师的理想选择。随着科技的快速发展,对高性能电子元器件的需求将不断增长,PJA3441_R1_00001将继续在各种创新产品中发挥至关重要的作用。