PJA3441_R1_00001 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PJA3441_R1_00001

商品编码: BM0198855823
品牌 : 
PANJIT(强茂)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 40V 3.1A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.576
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.576
--
200+
¥0.372
--
1500+
¥0.323
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PJA3441_R1_00001参数

功率(Pd)1.25W反向传输电容(Crss@Vds)33pF@20V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)108mΩ@4.5V,2.6A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)6nC@20V
漏源电压(Vdss)40V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)505pF@20V连续漏极电流(Id)3.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

PJA3441_R1_00001手册

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无数据

PJA3441_R1_00001概述

产品概述:PJA3441_R1_00001 P沟道MOSFET

一、产品描述

PJA3441_R1_00001是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),具备1.25W功率处理能力,最大耐压为40V,以及最大电流为3.1A。这款MOSFET采用了标准的SOT-23封装,便于在面板和电路板上进行紧凑布局,是现代电子应用中不可或缺的关键组件之一。

二、技术规格

  • 类型:P沟道MOSFET
  • 功率:1.25W
  • 耐压:40V
  • 最大漏极电流:3.1A
  • 封装:SOT-23
  • 品牌:PANJIT(强茂)

提供这些规格和参数,使得PJA3441_R1_00001能够在多种电路应用中表现出色,尤其适合需要功率开关、信号放大及高效电源管理的场合。

三、应用场景

PJA3441_R1_00001由于其优良的电气特性,广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:可在DC-DC转换器中使用,帮助提高能源转化效率,降低功耗,延长电池寿命。
  2. 开关电路:在各种开关电路中,P沟道MOSFET可以快速开关,实现高效的电能传输或信号处理。
  3. 负载开关:适用于低压负载的驱动,如LED照明、马达控制等,实现高效稳压与控制。
  4. 消费电子:在智能手机、平板电脑及其他便携性设备中,作为电源开关、信号开关等重要用途。
  5. 汽车电子:可用于电动汽车中的电源分配、动力控制和电池管理系统。

四、产品优点

  1. 高效率:PJA3441_R1_00001能够有效地降低开关损失,提升整体电源效率,这使得其在高频应用中表现尤为突出。
  2. 小型封装:SOT-23封装使得该MOSFET在小型化设计中十分理想,适合高密度电路板布局。
  3. 良好的热管理:通过优秀的散热设计,能在较高的功率和电流下保持稳定的性能,延长产品使用寿命。
  4. 高集成度:减少外部元器件数量,提高电路的集成度,简化设计工艺。

五、产品应用示例

在PJA3441_R1_00001的真实应用中,假设用于一个便携式LED照明设备,该MOSFET可以实现亮度调节功能。通过微控制器输出的PWM信号调制MOSFET的开关状态,从而准确控制LED的亮度。在这种应用场景下,选择P沟道MOSFET能够简化控制线路,减少次级元器件的数量。

六、总结

PJA3441_R1_00001 P沟道MOSFET凭借其出色的参数规格,以及在各类应用中的灵活性,成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在电源管理、开关应用还是汽车电子方面,这款MOSFET都表现出良好的性能,其高效能和可靠性使其成为工程师和设计师的理想选择。随着科技的快速发展,对高性能电子元器件的需求将不断增长,PJA3441_R1_00001将继续在各种创新产品中发挥至关重要的作用。