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NTR2101PT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 960mW 8V 3.7A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
17930(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.683按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.683
--
200+
￥0.471
--
1500+
￥0.428
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTR2101PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 8V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1173pF @ 4V |
| 基本产品编号 | NTR210 |
NTR2101PT1G手册
无数据
NTR2101PT1G概述
NTR2101PT1G 产品概述
一、基本信息
NTR2101PT1G 是由 ON Semiconductor（安森美）公司生产的一款 P 通道 MOSFET，其具有优良的性能特征，适合各种电子应用场景。该MOSFET采用 SOT-23-3 封装，设计用于表面贴装，便于在现代小型化电路板中的应用。
二、技术规格
- 制造商: ON Semiconductor
- 零件状态: 有源
- FET 类型: P 通道 MOSFET
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 漏源电压（Vdss）: 8V
- 连续漏极电流（Id）: 3.7A ＠ 25°C
- 功率耗散: 960mW ＠ 25°C
- 栅极电压（Vgs）最大值: ±8V
- 导通电阻（Rds On）: 最大 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V
- 栅阈值电压（Vgs(th)）最大值: 1V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）最大值: 15nC @ 4.5V
- 输入电容（Ciss）最大值: 1173pF @ 4V
三、关键性能
该 MOSFET 在低栅极电压下展现出良好的导通特性，使其在低功耗应用中具备了显著的优势。其导通电阻在 3.5A、4.5V 条件下最大为 52 毫欧，能够有效减小功耗和发热，提高电路效率。同时，其连续漏极电流可达到 3.7A，使得该器件适用于多种实际应用。
四、应用场景
NTR2101PT1G 的设计使其非常适合用于电源开关、负载驱动、电机控制以及其它需要高效开关的电子电路。它在便携式设备、电动车辆、家电和工业控制系统中均能发挥重要作用。由于其低导通电阻和快响应时间，NTR2101PT1G 可以帮助设计师优化功耗和提高电路的整体性能。
五、封装与安装
NTR2101PT1G 使用 SOT-23-3 封装，这种小型化的表面贴装类型极其适合现今对空间的苛刻要求。它的紧凑型设计，能够有效地节省电路板空间，并且在贴装时提供良好的机械强度和电气性能。
六、总结
作为一款高效能的 P 通道 MOSFET，NTR2101PT1G 在小型化、低功耗和高效能领域具有广泛的应用前景。无论是在消费电子还是在工业电源管理系统中，其卓越的性能和可靠性都使其成为了电子工程师们的优选器件。凭借 ON Semiconductor 的高品质和强大的技术支持，NTR2101PT1G 定将为各种设计带来新的可能和创新。