FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 550 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1030pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta),125W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子电路设计中不可或缺的关键元器件,其具有高输入阻抗、快速开关特性以及较低导通损耗等优点。IRF740ASPBF是VISHAY(威世)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,广泛应用于电源管理、逆变器、DC-DC转换等领域。
IRF740ASPBF的主要特性包括:
IRF740ASPBF具有出色的功率散热能力:
该元器件选用D2PAK封装,具体封装类型为TO-263-3,具有良好的散热特性,支持表面贴装,为PCB设计带来了便利。D2PAK封装适合大功率应用,能够有效降低热阻,提升器件的可靠性。
得益于其高电压、高电流和优异的开关特性,IRF740ASPBF,被广泛应用于以下领域:
IRF740ASPBF作为VISHAY(威世)的一款优秀N通道MOSFET,凭借其400V的高漏源电压、10A的连续漏极电流、低导通电阻和优良的功率散热能力,成为多种电源管理应用场合的理想选择。无论是在高温环境下工作,还是在日常的电源设计中,它都能提供足够的可靠性与性能,满足现代电子设计的严苛要求。