IRF740ASPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF740ASPBF

商品编码: BM0195220030
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-263-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.24g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W;125W 400V 10A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
3255(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
7.05
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.05
--
100+
¥5.98
--
1000+
¥5.7
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF740ASPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)400V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)550 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)36nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1030pF @ 25V
功率耗散(最大值)3.1W(Ta),125W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

IRF740ASPBF手册

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IRF740ASPBF概述

IRF740ASPBF 产品概述

一、产品背景

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子电路设计中不可或缺的关键元器件,其具有高输入阻抗、快速开关特性以及较低导通损耗等优点。IRF740ASPBF是VISHAY(威世)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,广泛应用于电源管理、逆变器、DC-DC转换等领域。

二、基本参数

IRF740ASPBF的主要特性包括:

  • FET类型: N通道
  • 漏源电压(Vdss): 400V,适用于高压电路
  • 连续漏极电流(Id): 10A,能满足多种电流需求
  • 最大驱动电压(Vgs): ±30V,确保良好的驱动兼容性
  • 导通电阻(Rds(on)): 550毫欧(最大值@10V,6A),较低的导通电阻意味着低的导通损耗
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 4V,适合各种不同的控制电路
  • 栅极电荷(Qg): 36nC @ 10V,低栅极电荷有助于提高开关速度
  • 输入电容(Ciss): 1030pF @ 25V,良好的电容特性保证稳定性

三、散热与功率能力

IRF740ASPBF具有出色的功率散热能力:

  • 功率耗散: 最大3.1W(在环境温度下,Ta),125W(在结温条件下,Tc),确保在高功率操作中稳定运行。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ),能够在极端的工作环境下保持可靠性,适合航空航天、工业控制等需要高温工作的应用。

四、封装与安装

该元器件选用D2PAK封装,具体封装类型为TO-263-3,具有良好的散热特性,支持表面贴装,为PCB设计带来了便利。D2PAK封装适合大功率应用,能够有效降低热阻,提升器件的可靠性。

五、应用领域

得益于其高电压、高电流和优异的开关特性,IRF740ASPBF,被广泛应用于以下领域:

  1. 电源变换器:作为开关元件,提供高效电压转换,降低能源损耗。
  2. 电池管理系统:在电池充电和放电过程中提供可靠的开关行为,最大限度地提高电池的使用效率。
  3. 电动机驱动:能够驱动各种电动机,满足高速开关与负载调节的需求。
  4. 逆变器:提供高效的直流到交流电能转换,适合于风能、太阳能等可再生能源系统。
  5. 高频开关电源:通过快速的导通和关断特性,实现高频率的电源转换。

六、总结

IRF740ASPBF作为VISHAY(威世)的一款优秀N通道MOSFET,凭借其400V的高漏源电压、10A的连续漏极电流、低导通电阻和优良的功率散热能力,成为多种电源管理应用场合的理想选择。无论是在高温环境下工作,还是在日常的电源设计中,它都能提供足够的可靠性与性能,满足现代电子设计的严苛要求。