ESD5681N12-2/TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ESD5681N12-2/TR

商品编码: BM0195219674
品牌 : 
WILLSEMI(韦尔)
封装 : 
DFN1006-2L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
未分类
库存 :
3240(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.227
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.227
--
500+
¥0.151
--
5000+
¥0.131
--
10000+
¥0.118
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

ESD5681N12-2/TR参数

击穿电压13V反向截止电压(Vrwm)12V
商品分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)峰值脉冲电流(Ipp)18A
最大钳位电压24V类型TVS

ESD5681N12-2/TR手册

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无数据

ESD5681N12-2/TR概述

产品概述:WILLSEMI ESD5681N12-2/TR

一、产品简介

WILLSEMI(韦尔)是一家专注于半导体产品设计和制造的企业,致力于提供高性能、高可靠性的电子元器件。ESD5681N12-2/TR是WILLSEMI旗下的一款出色的静电放电(ESD)保护器件,广泛应用于电子设备的过压保护、信号完整性维护和可靠性提升。

二、产品特性

  1. 低击穿电压:ESD5681N12-2/TR具备较低的击穿电压,通常在12V左右,能够有效保护敏感的电路免受瞬态电压干扰的影响。
  2. 快速响应时间:该器件具有快速的响应能力,能够在极短的时间内响应静电放电事件,从而提高保护效果,减少对其他元件的损坏风险。
  3. 双通道配置:产品采用双通道设计,适用于差分信号传输的保护,可以有效保护高速数据传输接口,如USB、HDMI等。
  4. 超小封装:DFN1006-2L的封装形式使得ESD5681N12-2/TR在空间受限的应用中表现尤为突出,易于布局在高密度电路板上。
  5. 优良的温度稳定性:产品在广泛的温度范围内工作性能稳定,能够承受各种环境条件下的使用。

三、应用场景

ESD5681N12-2/TR广泛应用于各类电子设备中,以下是一些主要的应用领域:

  1. 移动设备:在智能手机、平板电脑等移动设备中用于保护触摸屏和内部组件,防止因静电放电造成的损坏。
  2. 消费电子:如电视、音响、游戏机等,确保设备在各种外部静电环境下的安全使用。
  3. 汽车电子:在车载系统中用于保护敏感的传感器、控制单元和通信模块,提升整体系统的可靠性。
  4. 通讯设备:在基站、路由器及其他通讯设备中,用作接口的过压保护,确保信号的完整性和设备的稳定运行。
  5. 工业自动化:在各种工业设备和传感器中用于防护,确保在恶劣环境下设备的正常工作。

四、工作原理

ESD5681N12-2/TR通过瞬态电压抑制的原理来实现对静电放电的保护。当设备受到外部静电放电的影响时,ESD保护器件会迅速将过高的电压引导到地,从而保护后端电路不受损害。其内部结构中含有二极管阵列,能够在瞬态过压的情况下提供导通路径,有效降低需保护电路的电压。此外,器件的设计也确保了在正常工作条件下,不会对信号造成影响。

五、总结

WILLSEMI的ESD5681N12-2/TR是一款兼具高性能和小尺寸的静电放电保护器件,能够满足现代电子产品日益复杂和密集化的设计需求。凭借其卓越的保护性能和广泛的应用前景,该器件为各种电子系统提供了可靠的保护解决方案,确保设备的稳定性和可靠性。

无论是在移动通信、消费电子还是工业自动化领域,ESD5681N12-2/TR都能够为客户提供强大的静电保护能力,为用户带来更安全、更高效的使用体验。对于设计工程师而言,选用ESD5681N12-2/TR将显著提升产品在激烈市场竞争中的优势。