NTR4502PT1G
NTR4502PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1.95A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200pF @ 15V |
| 基本产品编号 | NTR450 |
NTR4502PT1G手册
NTR4502PT1G概述
产品概述：NTR4502PT1G MOSFET
概述
NTR4502PT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。凭借其独特的设计和卓越的电气特性，NTR4502PT1G 在多个现代电子应用中展现出了极高的灵活性和可靠性。该器件采用 SOT-23-3（TO-236）封装，旨在满足表面贴装技术（SMT）的要求，是实现高密度电路布局的理想选择。
主要特性
电流处理能力： 在温度为 25°C 时，NTR4502PT1G 具备 1.13A 的连续漏极电流（Id）能力，能够高效工作于多种负载条件下。
导通电阻： 此 MOSFET 在 10V 的栅极应力下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 200 毫欧，表明其在通电状态下具有很低的电能损耗，提高了整体能效。
栅极驱动电压： NTR4502PT1G 支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，兼容多种控制信号，可以轻松与各种控制电路集成。
工作温度范围： 它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，这使得该器件适用于恶劣环境下的应用，保证了其在极端条件下的稳定性和可靠性。
封装和体积： SOT-23-3（TO-236）封装体积小，方便在空间受限的应用中使用，有助于缩小整体电路板尺寸。
输入和输出特性： 该 MOSFET 在 15V 的漏源电压下，其输入电容 (Ciss) 最大为 200 pF，栅极电荷 (Qg) 最大为 10 nC，确保快速的开关响应和良好的线性性能，适合高频开关应用。
应用领域
NTR4502PT1G 被广泛应用于各类产品和系统中，尤其在需要高效开关控制的场合。具体应用包括：
电源管理： 该 MOSFET 可以用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源模块，实现高效的电流控制和电压转换，优化电源性能。
电机驱动： 在小型电机驱动电路中，NTR4502PT1G 能够提供低电阻和高电流的驱动能力，提升电机的响应速度和控制精度。
负载开关： 它适用于各类负载开关应用，能够稳妥控制电流流向，适配多种负载特性。
消费电子： 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，NTR4502PT1G 可用于电源管理和信号切换等功能，提高整体性能和续航时间。
LED 驱动： 可在 LED 显示器、照明系统中使用，提高能效和光通量，降低热量生成。
总结
NTR4502PT1G 是一款性能优越的 P 通道 MOSFET，提供卓越的电流处理能力和低导通电阻，非常适合高效电源管理和电机控制等应用。其宽广的工作温度范围和小型封装设计使其特别适合现代紧凑型电子产品。凭借 ON Semiconductor 的质量保证及其在行业内的良好声誉，NTR4502PT1G 无疑是实现高效能电子设计的重要组成部分。无论是在消费电子，电机控制，还是其他的工业应用中，NTR4502PT1G 都能提供可靠的解决方案，为用户创造更高的价值和更好的体验。