功率(Pd) | 365W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 77pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.85mΩ@10V,140A |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 252nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 17nF@50V | 连续漏极电流(Id) | 280A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
NCEP023N10T 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),其额定功率达到 365W、耐压高达 100V 和最大连续电流为 280A。这款 MOSFET 采用 TO-247 封装,具有出色的散热性能,使其在多个应用场景中都表现优异。作为 NCE(新洁能)品牌的核心产品之一,NCEP023N10T 非常适合需要高功率和高电流处理的电子电路及系统。
高功率处理:最大功率为 365W,适用于大功率应用,如电源管理、高频开关电源和电动机驱动。
高电压和电流能力:其最大耐压为 100V,可承受较高的电压冲击,适合于工业电源、汽车电子与能源转换应用。同时,280A 的最大连续电流使其能够满足高负载环境的需求。
优异的温度系数:使用高质量的硅材料和先进的制造工艺,NCEP023N10T 在高温环境下运行性能稳定,能够有效减少温度引起的漂移。
良好的开关性能:该 MOSFET 具有低的导通电阻 (RDS(on)) 值,使得在开启状态下功耗最低,提高了系统的整体效率。这对于提升系统的执行效率及降低散热要求有着重要作用。
TO-247 封装:TO-247 封装设计有助于散热,能够支持高功率应用带来的热挑战,并且便于散热器或其他散热机制的连接。
NCEP023N10T 适用于多种应用,包括但不限于:
开关电源 (SMPS):在开关电源中,这款 MOSFET 作为开关元件能够提供高效的电源转换,尤其适合用于高频转换。
电机驱动控制:在电动机驱动和控制系统中,NCEP023N10T 可用于高效地驱动和控制直流电机、步进电机等。
电池管理系统:在电池管理系统中,NCEP023N10T 可用于电池充放电控制,提供高效的功率转换。
太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,此 MOSFET 适合用于将直流电转换为交流电,最大限度地提高电能转换率。
工业电源和HVAC系统:在工业电源和HVAC系统中,NCEP023N10T 可用于大功率供电和控制,确保系统安全稳定运行。
NCEP023N10T 的设计和性能使其在市场上占据了一席之地。其优秀的开关速度和较低的导通电阻使得它在快速切换的电路中表现出色,能有效减少开关损耗。同时,与传统的双极型晶体管(BJT)相比,MOSFET 的驱动特性更为优越,降低了对驱动电路的复杂度与成本。
NCEP023N10T 是一款集高电流、高电压、低导通电阻及优良散热性能于一身的 N 沟道 MOSFET,能够在多个高功率应用中发挥其优势,非常适合需求严苛的工业与高端电子设备。选择 NCEP023N10T,将为您带来更高的能效与更可靠的系统性能,是您在高功率领域应用中的理想选择。