SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3 产品概述

产品概述

SI7818DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由知名电子元件供应商威世（VISHAY）制造。该器件采用先进的 PowerPAK® 1212-8 表面贴装型封装设计，提供了出色的散热性能和空间利用率，非常适合于高密度电子设备中使用。

关键参数

1. 漏源电压 (Vdss)：150V

   • 该 MOSFET 的漏极到源极的耐压能力高达 150V，使其能够处理多种工作条件，适用于高压应用，如开关电源和电机驱动。

2. 连续漏极电流 (Id)：2.2A (在 25°C 环境下)

   • 此参数表示在典型温度下，MOSFET能够安全通过的电流值，能够满足大部分中等电流应用的需求。

3. 驱动电压：

   • 最大 Rds On 电压为 6V 时，最小 Rds On 电压为 10V。这为用户提供了灵活的驱动方案，使其在不同的电路条件下都能获得最佳性能。

4. 导通电阻 (Rds(on))：

   • 在 10V 驱动下，Id 为 3.4A 时，其最大导通电阻仅为 135 毫欧。这一低导通电阻特性降低了功耗和热量，提高了电路的整体效率。

5. 栅极阈值电压 (Vgs(th))：

   • 最大值为 4V @ 250µA，确保该器件能够在低电压下正常开启，对于低压驱动的应用表现优秀。

6. 栅极电荷 (Qg)：

   • 当 Vgs 为 10V 时，栅极电荷最大值为 30nC，低栅极电荷特性使得驱动电路要求更低，从而在高频开关应用中表现出色。

工作条件与散热

该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，保证其在极端环境下的稳定性与可靠性。其最大功率耗散为 1.5W，这意味着在合适的散热条件下，能够有效控制器件的温升，延长器件的使用寿命。

应用领域

SI7818DN-T1-GE3 的设计适用于广泛的应用场合，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 电机驱动
• 电源管理
• 照明控制
• 逆变器
• 负载开关

由于其兼具高压与高效能的特点，使得该器件也非常适合于用于电动车、可再生能源装置及消费类电子产品等领域。

封装与安装

该器件采用的 PowerPAK® 1212-8 封装形式，具有较小的占地面积和优秀的散热能力，这使得其能够在需要节省空间的电路设计中成为理想选择。同时，该封装的表面贴装结构便于自动化生产，提高了装配效率。

总结

SI7818DN-T1-GE3 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，具有优良的电气特性与广泛的应用适应性，适合用于高压和中等电流的电子设备。它的低导通电阻、较高的工作温度范围和出色的封装设计，确保了其在现代电子设计中不可或缺的地位。无论是在工业、电源管理还是消费电子领域，SI7818DN-T1-GE3 都是理想的选择，为客户提供了可靠性与高效能的优质表现。