通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 4170Vrms |
电流传输比(最小值) | 500% @ 10mA | 接通 / 关断时间(典型值) | 5µs,100µs(最大) |
输入类型 | DC | 输出类型 | 有基极的达林顿晶体管 |
电压 - 输出(最大值) | 30V | 电流 - 输出/通道 | 150mA |
电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.2V | 电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 80mA |
Vce 饱和压降(最大) | 1V | 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 6-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 6-DIP |
4N33M是一款高性能的光电耦合器,采用了达林顿晶体管输出结构,专为满足各种电子应用中的信号隔离需求而设计。其具有优异的电气特性和可靠的工作性能,使其成为工业、消费和通信领域中常用的隔离元件。
通道数:4N33M为单通道(1),适合用于一对一的信号传输。
电压隔离能力:该器件能够承受高达4170Vrms的电压隔离,确保电路之间的安全隔离和信号传输的稳定性,适用于高压电路的隔离。
电流传输比:在输入10mA的直流电流条件下,4N33M的电流传输比最小可达500%。这意味着其输出端能够以较小的输入信号获得大于5倍的输出电流,极大提高了信号传递的效率。
开关时间:接通和关断时间典型值分别为5µs,最大为100µs,适合用于响应速度要求较高的应用场合。
工作电压和电流:
正向电压和电流:正向电压典型值为1.2V,最大正向直流电流为80mA,在设计电路时需考虑此参数以避免损坏器件。
Vce饱和压降:最大值为1V,保证了在使用时较低的压降,提升系统整体效率。
工作温度:4N33M的工作温度范围为-40°C至100°C,极大地提高了其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
封装类型:采用6-DIP封装形式,标准的通孔安装,适合实现简单的环境集成。
4N33M光耦合器广泛应用于以下领域:
电源管理:用于隔离输入电源和控制系统,确保系统的安全性。
数据通信:在数据传输中提供电气隔离,以减少电气噪声对信号的影响。
工业自动化:用于反馈和控制电路中的信号隔离,确保操作系统的安全。
消费电子:如家电类产品中提供的接口隔离,保护控制电路。
医疗设备:在需确保患者安全的医疗设备中,隔离高压和低压电路,增强安全性。
汽车电子:在汽车控制系统中用于各种信号的隔离,提升系统的可靠性与稳定性。
4N33M是一款性能优越的光耦合器,其独特的达林顿晶体管输出配置提供了较高的电流增益,使其在信号传递过程中能保持较高的效率。此外,它卓越的隔离性能和宽广的工作温度范围,使其在多种环境和应用场景中均能保持稳定工作,极大地提升了系统整体的安全性和可靠性。
综上所述,4N33M光电耦合器是一款功能全面且性能出色的元器件,适合在多种应用场合中使用,尤其是在要求高电压隔离和信号传输效率的场合。凭借其优良的技术参数和广泛的应用能力,4N33M完全能够满足现代电子工程师对隔离组件的各种严苛需求。