DTC114TMT2L
DTC114TMT2L参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
DTC114TMT2L手册
DTC114TMT2L概述
DTC114TMT2L 产品概述
产品简介：
DTC114TMT2L 是一款由 ROHM（罗姆）公司推出的数字晶体管，采用了 SOT-723 封装，具有卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中。其设计特性专为满足高频率工作和低功耗应用而优化，使其在数字电路和信号处理领域中脱颖而出。
基本参数概述：
DTC114TMT2L 是一种 NPN 型数字晶体管，具有较高的电流承载能力，最大集电极电流 (Ic) 可达 100mA，最大集射极击穿电压 (Vce) 为 50V。这使得该晶体管适用于多种电压和电流需求的应用场景。同时，其最大功率（150mW）和低集电极截止电流（500nA）保证了在低功耗条件下的稳定性和高效性。
主要特性：
高频性能： DTC114TMT2L 的频率跃迁达到 250MHz，这在数字信号处理中尤为重要。高频特性使其适用于高速开关和信号放大应用，特别是在现代通讯设备中。
低饱和压降： 在不同的基极电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，该晶体管的 Vce 饱和压降最大值为 300mV（在 1mA 和 10mA 时），这意味着在开关操作时，DTC114TMT2L 能够有效降低功耗和热量生成，提升整体效率。
良好的增益特性： DTC114TMT2L 在 1mA 的基极电流下，具备不少于 100 的直流电流增益 (hFE)，能够实现强有力的信号放大。这使得该产品在应用于放大器和开关电路时，能够提供稳定的性能。
集成化设计： 该产品的 SOT-723 封装设计小巧，占用空间小，非常适合现代高密度电路设计。这种表面贴装型的安装类型不仅简化了PCB的设计，还适应了各种自动化焊接设备，提高了生产效率。
应用场景：
DTC114TMT2L 可以广泛应用于以下领域：
- 数字电路：作为开关和信号放大器，适用于计算机、网络设备和其他数字电路中。
- 自动化控制：由于其高增益和低功耗特性，非常适合用于各类传感器信号的放大和处理。
- 通讯设备：在高频率操作下，其应用能够显著提升信号的传输质量，广泛应用于无线通讯、移动电话等设备中。
- 消费电子：适用于家电、音响系统以及便携式电子设备，为其提供稳定的信号处理能力。
总结：
DTC114TMT2L 数字晶体管结合了高频性能、低饱和压降及良好的电流增益，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。它的高效能和紧凑封装设计，使得开发人员在设计和布局电路时，能够更加灵活和自由。这款晶体管的出色性能和可靠性，不仅能够提高电路的整体性能，也将有效降低系统的功耗和成本，推动了电子行业的创新与发展。随着科技的不断进步和智能化设备的推广，DTC114TMT2L 有望在更多新的应用领域中展现其独特的优势。