SI4156DY-T1-GE3
SI4156DY-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 15.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），6W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4156DY-T1-GE3手册
SI4156DY-T1-GE3概述
SI4156DY-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI4156DY-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）公司出品的高效能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），设计用于高性能开关和放大应用。凭借其优异的电气规格和广泛的应用范围，SI4156DY-T1-GE3 成为现代电子设备中非常重要的元器件。
二、基本参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 30V，适用于多种低压应用
- 连续漏极电流 (Id): 24A（在 25°C 环境温度下，注重散热管理）
- 驱动电压: 可在 4.5V 和 10V 的条件下实现最小和最大 Rds On
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 驱动电压下，最大值为 6 毫欧，确保高效能和低功耗
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.2V @ 250µA，利于微功耗操作
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 42nC @ 10V，能够提供快速开关响应
- 最大 Vgs: ±20V，提供良好的栅极驱动灵活性
- 输入电容 (Ciss): 最大值 1700pF @ 15V，适合高频应用
- 功率耗散: 在环境温度 (Ta) 下最大 2.5W，在结温 (Tc) 下最大 6W，强调高效的散热性能
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C，适用于苛刻的环境条件
- 封装类型: SOIC-8 表面贴装型，适合现代寸小系统设计
三、特点与优势
SI4156DY-T1-GE3 MOSFET提供了多个特点和优势，使其适合广泛的应用：
高效率：由于其低导通电阻和栅极电荷特性，该MOSFET能够降低导通损耗，提高系统的整体效率，特别适用于电源管理和电机驱动应用。
强大的电流承载能力：具有连续漏电流为24A，能够轻松应对在工作时的电流峰值，确保设备的稳定运行。
宽广的工作温度范围：其工作温度从 -55°C 到 150°C，使得SI4156DY-T1-GE3在极端环境条件下也能稳定工作，适合汽车和航空等领域的应用。
便捷的安装及封装：SOIC-8封装设计使得其在表面贴装上的应用非常方便，极大地减小了产品尺寸并提高了生产效率。
可兼容多种驱动电压：支持4.5V和10V的控制电压，对于不同的电路设计提供了灵活性。
四、应用场景
由于SI4156DY-T1-GE3的出色性能，它适用于多个领域和应用，包括但不限于：
DC-DC转换器：作为开关元件，提高变换效率，降低功耗。
电源管理：在高频开关电源中获取最佳能量转换，生成稳定电压输出。
电机驱动：在无刷直流电机或步进电机驱动中，控制电机运行并提供强大动力。
消费电子：广泛应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中，提高设备的整体性能。
汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车的驱动控制系统中尤为重要，保障车辆高效运行。
结论
SI4156DY-T1-GE3 N沟道MOSFET的优越性能使其在众多电子应用中占有一席之地。凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围，以及良好的电流承载能力，它为现代电源管理和电机驱动解决方案提供了强有力的支持。无论是在工业、汽车还是消费电子产品中，SI4156DY-T1-GE3都能够满足多种需求，确保系统的高效能和可靠性。