IRF2807ZPBF
IRF2807ZPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 53A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3270pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 170W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF2807ZPBF手册
IRF2807ZPBF概述
IRF2807ZPBF 产品概述
IRF2807ZPBF 是一种高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件由英飞凌（Infineon）制造，凭借其出色的电气性能和可靠性，成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。
核心参数
IRF2807ZPBF 的主要电气参数使其非常适用于高功率应用。器件的漏源电压（Vdss）高达 75V，这使其能够应对多种电源电路中的电压需求。其最大连续漏极电流（Id）为 75A（当温度在 25°C 时），在多个工作条件下均可保持良好的性能，为设计工程师提供了极大的灵活性。
在驱动电压方面，IRF2807ZPBF 的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4V（在 250µA 电流下），这意味着在较低的栅压下也能顺利开启，简化了驱动电路的设计。器件的导通电阻（Rds On）在 53A 和 10V 条件下的最大值为 9.4 毫欧，确保了器件在导通状态下的低功耗，进一步提升了系统的效率。
此外，IRF2807ZPBF 的栅极电荷（Qg）为 110nC（在 10V 驱动下），这使得在高频或快速开关应用中获得较好的性能，无需过高的驱动能力，从而降低外围驱动电路的复杂性和成本。
热性能
IRF2807ZPBF 的最大功率耗散为 170W，这意味着在适当的散热条件下，它能够安全地处理大量的热能，维护系统的稳定性。在工作温度方面，该器件的额定操作温度范围为 -55°C 到 175°C，适用于各种严酷环境下的工作要求，包括汽车电子、工业控制及航天应用等。
封装与安装
该 MOSFET 使用 TO-220AB 封装，这是一种符合耐高温、易于在电路板上焊接的通孔型封装。TO-220 封装所提供的良好散热特性，使得器件能够在高功率应用中实现有效的温度管理。对于工程师而言，选择 IRF2807ZPBF 不仅能够满足高电流需求，同时也能在散热设计上具有很大的灵活性。
应用领域
凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，IRF2807ZPBF 在多个应用场景中均表现出色。常见应用包括：
- 电源管理：可以用于 DC-DC 转换器、开关电源中的主开关或调节开关。
- 电机驱动：适合于工业电机驱动、直流电动机控制及无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
- 汽车电子：广泛应用于电动汽车、电池管理系统（BMS）及各类电气控制模块。
- 工业控制：可用于机器人控制、自动化设备中的开关和调节应用。
结论
综上所述，IRF2807ZPBF 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气性能、良好的热管理能力以及宽广的应用范围，在现代电子产品开发中提供了极大的设计灵活性。无论是在电源转换、动力驱动还是复杂控制系统中，IRF2807ZPBF 都是一个值得信赖的选择。