IPB048N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.6V @ 264µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7800pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IPB048N15N5ATMA1手册
IPB048N15N5ATMA1概述
产品概述：IPB048N15N5ATMA1 N-channel MOSFET
简介
IPB048N15N5ATMA1是一款高性能的N通道MOSFET（场效应管），由著名的半导体制造商Infineon（英飞凌）生产，专为要求高电压和大电流的应用而设计。该MOSFET具有150V的漏源电压（Vdss）和120A的连续漏极电流（Id），使其在电源转换、电机驱动和其他高功率应用中表现出色。
关键特性
高漏源电压和大电流能力：IPB048N15N5ATMA1支持高达150V的漏源电压，可以轻松满足工业和消费类设备的高压要求。同时，其120A的最大连续漏极电流为高功率应用提供了极大的灵活性。
低导通电阻：在60A和10V的条件下，该器件的最大导通电阻（Rds(on)）为4.8毫欧，使其在导电状态下的功耗大大降低，有助于提高整体系统效率，减少热量产生。
宽广的工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围从-55°C到175°C，适用于极端环境下的应用，如汽车电子和工业控制器。其高工作温度保证了元器件的长期稳定性和可靠性。
高功率耗散能力：IPB048N15N5ATMA1设计满足高达300W的功率耗散能力，这意味着该MOSFET能够在高功率转换应用中长时间工作，而不过度升温。
小型封装设计：采用TO-263-3封装，该MOSFET的表面贴装型设计使其便于在现代电子设备中实现高密度布局，节省了电路板空间。
应用场景
开关电源：在开关电源（SMPS）设计中，IPB048N15N5ATMA1可以作为主开关元件，以高效地进行电能转换，帮助提升电源的总效率和稳定性。
电动机驱动：该MOSFET对于电动机驱动应用尤其适合，可用于驱动直流电动机和步进电动机，提供所需的电流和电压。
电池管理系统：在电池管理系统（BMS）中，其高电流和低导通电阻特性使其成为理想选择，用于开关和保护电池单元，确保系统安全性。
工业自动化：针对各种自动化设备，IPB048N15N5ATMA1能够满足高效能和长期稳定性需求。
技术参数
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V，便于适配各种驱动电路。
- 阈值电压（Vgs(th)）：在4.6V的最大值可确保MOSFET在轻负载情况下正常开启。
- 输入电容（Ciss）：在75V下最大为7800pF，表明其对于开关频率的适应能力，有助于高频应用的性能。
总结
IPB048N15N5ATMA1是一个理想的高性能MOSFET，结合了出色的电气特性、宽广的工作温度范围以及紧凑的封装设计。这些特性使得其在多样化的应用领域中都能够表现卓越，无论是电源管理、工业驱动还是电池管理系统，均具备强大的竞争力。选择IPB048N15N5ATMA1，意味着选择了一款经过严苛测试和验证的可靠元器件，是现代电子设计的不二选择。