TS372IDT 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TS372IDT

商品编码: BM0188691425
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.235g
描述 : 
比较器 开漏 10mV 1.5V~8V;3V~16V 1pA SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.53
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.53
--
100+
¥1.18
--
1250+
¥1.02
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

TS372IDT参数

类型差分元件数2
输出类型CMOS,MOS,开路漏极,TTL电压 - 供电,单/双 (±)3V ~ 16V,±1.5V ~ 8V
电压 - 输入补偿(最大值)10mV @ 5V电流 - 输入偏置(最大值)1pA
电流 - 输出(典型值)20mA电流 - 静态(最大值)375µA
工作温度-40°C ~ 125°C封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO

TS372IDT手册

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无数据

TS372IDT概述

TS372IDT 产品概述

引言
TS372IDT 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能、低功耗的差分比较器,旨在为现代电子设计提供灵活且高度可靠的解决方案。它的设计特点包括宽供电电压范围、高输入阻抗和低静态电流,适用于多种应用场景,包括传感器接口、数据采集系统、信号处理以及一般的比较应用。

产品特性

  1. 差分比较器架构
    TS372IDT 采用差分输入结构,能够有效地消除共模干扰,提供更高的信号分辨率和精度。此架构适合高噪声环境,确保比较结果的可靠性。

  2. 电源电压范围
    该器件支持的供电电压范围为 3V 到 16V 和 ±1.5V 到 ±8V,适用于多种电源配置,满足不同系统设计的需求。此外,TS372IDT 具有低输入补偿特性,输入补偿最大值为 10mV @ 5V,可以在不同的工作状态下保持高精度的比较能力。

  3. 输入偏置电流
    该比较器的输入偏置电流高达 1pA,这使其在高阻抗应用中表现更加出色。低偏置电流确保了在长时间和不活跃状态下,电路的稳定性和信号的保真度。

  4. 输出特性
    TS372IDT 的输出类型包括 CMOS、MOS、开路漏极和 TTL 模式,这为设计人员提供了较大的灵活性,可以根据实际需求选择适当的输出配置。在典型条件下,输出电流可达到 20mA,充分满足驱动需求。

  5. 低静态电流
    在工作状态下,该器件的静态电流最大值为 375µA,极大地降低了系统的功耗。这使其成为对功耗敏感的便携式和电池供电设备的理想选择。

  6. 宽工作温度范围
    TS372IDT 的工作温度范围为 -40°C 到 125°C,确保其在极端温度条件下也能稳定运行。这种耐温特性使其适合工业控制、汽车电子和其它要求严苛环境的应用。

  7. 封装与安装
    该器件采用 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)封装,适合表面贴装技术(SMT),便于在高度集成的电路板设计中进行安装。其紧凑的尺寸和轻量化的特性,有助于节省电路板空间,实现更高的设计密度。

应用场景
TS372IDT 广泛应用于以下场景:

  • 传感器信号处理:能够有效比较传感器信号与设定阈值,适合于温度传感器、压力传感器等应用。
  • 数据采集:需要将模拟信号转换为数字信号的场合,TS372IDT 的高速和高精度性能是理想的选择。
  • 开关控制:可以作为液位控制、温度控制、压差控制等开关装置的核心组件。
  • 电流监控和保护电路:在电流检测和过载保护电路中,它可以快速响应,确保设备安全运行。

总结
TS372IDT 是一款以高性能和低功耗为特点的差分比较器,适用于广泛的电子应用。其灵活的电源选择、出色的输入特性和丰富的应用场景,使其成为电子工程师在产品设计过程中的理想选择。凭借其稳定性和高精度,TS372IDT 将帮助用户实现更高效的设计和更可靠的产品性能。