RU1C002UNTCL
RU1C002UNTCL参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，2.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | UMT3F | 封装/外壳 | SC-85 |
RU1C002UNTCL手册
RU1C002UNTCL概述
RU1C002UNTCL 产品概述
产品简介
RU1C002UNTCL是ROHM（罗姆）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，专为高效的电源管理和开关应用而设计。该器件采用SC-85封装（UMT3F），体积小巧，适合表面贴装（SMD）应用，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
主要特性
高漏源电压: RU1C002UNTCL具有20V的漏源电压（Vdss），在许多低至中等电压应用中表现出色。
额定电流: 在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）达到了200mA，适合小功率应用，同时保障了连接的可靠性。
低导通电阻: 该MOSFET的最大导通电阻（Rds On）为1.2Ω，当Id为200mA，Vgs为2.5V时，具有优越的导通特性，能够降低功率损耗，提高效率。
高阈值电压: Vgs(th)的最大值为1V（在1mA下测试），保证了在相对较低的栅驱动电压下，该器件能够快速开启，适合开关频率较高的应用。
宽驱动电压范围: 最大栅驱动电压为±8V，这为多种驱动电路设计提供了灵活性。
小输入电容: 在10V时，输入电容（Ciss）最大值仅为25pF，帮助改善开关速度，降低开关损耗，适合高频应用。
功率耗散: 最大功率耗散为150mW（在环境温度下），为器件在热管理方面提供了一定的余量。
高工作温度: RU1C002UNTCL的工作温度范围可以达到150°C（TJ），这使得其在较为恶劣的工作环境中也能长期稳定运行。
封装类型: 采用SC-85封装，使得RU1C002UNTCL适合现代小型化设计，便于PCB布局和组装，节省空间。
应用领域
RU1C002UNTCL广泛应用于以下领域：
消费电子: 如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，使用RU1C002UNTCL进行电源管理和信号开关，提供高效能和小型化方案。
工业控制: 在电机驱动和其他工业自动化应用中，RU1C002UNTCL能够有效控制功率和提高系统的可靠性。
汽车电子: 由于其高温耐受性，适合应用于汽车内部电源管理和车载电子设备，保证在较高温度下的稳定性。
总结
RU1C002UNTCL是一款在低功率应用中表现出色的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气性能和高可靠性，满足现代电子设备对高效率和小型化的需求。通过ROHM的先进半导体技术，RU1C002UNTCL为开发者提供了一个可靠且灵活的解决方案，非常适合用于各类电子产品的设计与开发。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，这款MOSFET都将发挥重要作用，推动产品的创新与发展。