TN1625-1000G-TR 产品实物图片
TN1625-1000G-TR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TN1625-1000G-TR

商品编码: BM0188691411
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
晶闸管(可控硅)/模块 40mA 1kV 1个单向可控硅 1.3V D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
9.1
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.1
--
100+
¥7.72
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

TN1625-1000G-TR参数

电压 - 断态1kV电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)1.3V
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值)25mA电压 - 通态 (Vtm)(最大值)1.6V
电流 - 通态 (It (AV))(最大值)10A电流 - 通态 (It (RMS))(最大值)16A
电流 - 保持 (Ih)(最大值)40mA电流 - 断态(最大值)5µA
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)190A,200ASCR 类型标准恢复型
工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB供应商器件封装D2PAK

TN1625-1000G-TR手册

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无数据

TN1625-1000G-TR概述

产品概述: TN1625-1000G-TR

TN1625-1000G-TR 是一款高性能的单向可控硅(SCR),由知名半导体品牌ST(意法半导体)制造,设计用于各种工业和商业应用。该器件采用D2PAK封装,适用于表面贴装,具有出色的热管理能力和电气性能,适合恶劣的环境条件和高负载的电流控制需求。

主要规格

  1. 电压特性:

    • 断态电压(V_R):1kV,允许在高压应用中稳定工作,适用于需承受高电压的电路。
    • 栅极触发电压(Vgt):最大值为1.3V,意味着在此电压下可对SCR进行有效触发,控制电流的导通。
  2. 电流特性:

    • 通态电流(It (AV) 和 It (RMS)):最大可达10A(平均电流)和16A(有效值电流),能够在较高的电流条件下可靠工作。
    • 保持电流(Ih):最大40mA,确保在导通状态下SCR可靠保持。
    • 断态漏电流(I(Max)):在断态时最大漏电流仅为5µA,极低的漏电流有助于提升整个电路的能效。
  3. 脉冲特性:

    • 非重复浪涌电流(Itsm):满足190A(50Hz)和200A(60Hz)的要求,能够承受瞬态电流的冲击,适合用于具有浪涌电流的应用场景。
  4. 温度范围:

    • 工作温度范围为-40°C至125°C,保证了在多样环境下的稳定性和可靠性,适合汽车、工业控制和电力电子等领域。

应用领域

TN1625-1000G-TR 的主要应用包括但不限于:

  • 电力控制: 广泛应用于电机控制、电源管理和变频器中,能够高效控制电流以实现精确的电力调节。
  • 照明控制: 可用于调光器和液晶显示器的背光控制系统,有效调节光源亮度。
  • 电气保护: 用作过电流保护装置,防止设备因电流过载而损坏,在配电系统和电气开关柜中常见。
  • 半导体电路: 作为切换设备支持DC电机的控制,以及在冶金、石油化工等领域的加热控制。

封装与安装

TN1625-1000G-TR 采用D2PAK封装,具有出色的散热性能,非常适合高功率和高热负载的应用。该封装设计为表面贴装型,便于自动化生产和快速装配,节省了空间并提升了电路板的密度。

总结

TN1625-1000G-TR 是一款高压、高性能的标准恢复型可控硅,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,成为电力电子领域的理想选择。该器件在设计时充分考虑了工业应用的要求,确保了其在苛刻工作环境下的可靠性与稳定性,是电力控制解决方案的核心组件。通过采用TN1625-1000G-TR,我们能够实现更高效的电力管理和设备保护,推动现代电子技术的进步与应用。