TCET1100G
TCET1100G参数
| 通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值） | 50% @ 5mA | 电流传输比（最大值） | 600% @ 5mA |
| 接通 / 关断时间（典型值） | 6µs，5µs | 上升/下降时间（典型值） | 3µs，4.7µs |
| 输入类型 | DC | 输出类型 | 晶体管 |
| 电压 - 输出（最大值） | 70V | 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | 1.25V | 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | 60mA |
| Vce 饱和压降（最大） | 300mV | 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 4-DIP（0.400"，10.16mm） |
| 供应商器件封装 | 4-DIP |
TCET1100G手册
TCET1100G概述
TCET1100G 产品概述
产品名称: TCET1100G
品牌: VISHAY（威世）
封装类型: 4-DIP (双列直插)
通道数: 1
工作温度范围: -40°C ~ 100°C
1. 产品背景
在现代电子设备中，光耦合器被广泛应用于信号隔离和电气隔离需求的场合。TCET1100G是VISHAY公司推出的一款高性能晶体管输出光耦，它结合了高隔离电压和宽工作温度范围，适用于各种工业和消费电子应用。该产品能够有效地阻挡高电压，同时实现信号的可靠传输。
2. 主要特征
高电压隔离: TCET1100G具有高达5000Vrms的电气隔离能力。该特性使其能够在高噪声和高电压环境下安全工作，从而保护下游电路和设备。
电流传输比: 该器件在5mA输入电流下，其电流传输比从50%到600%不等，保证了信号在不同工作条件下的有效传递。这一特性使得TCET1100G在设计中的应用更加灵活。
快速响应时间: TCET1100G的接通/关断时间典型值为6µs和5µs，升降时间为3µs和4.7µs。这使得其适合于高频信号传输应用，能够满足动态响应快速的设计需求。
理想的输出特性: 最大输出电压可达70V，输出电流可达50mA，为各种负载提供了良好的驱动能力。此外，最大正向电流为60mA，饱和压降仅为300mV，确保了低功耗和良好的热管理。
3. 应用领域
TCET1100G广泛应用于以下领域：
- 工业自动化: 用于数据采集、传感器接口和电机控制系统，TCET1100G能够在复杂工业环境中提供可靠的信号隔离。
- 电源管理: 在开关电源、逆变器和充电器中，该光耦适合用于电流检测和反馈环路，提高系统的稳定性和安全性。
- 通信设备: 在数据通信设备中，TCET1100G可用来隔离不同电源域间的信号，保护传输数据的完整性。
- 家用电器: 适合家用电器中的控制和保护电路，确保安全的信号转换。
4. 设计注意事项
在使用TCET1100G时，设计人员应考虑以下几点：
- 输入和输出电路设计: 确保输入端与输出端电路的阻抗匹配，以优化光耦的性能。
- 工作环境: 由于其工作温度范围为-40°C到100°C，设计中应考虑到环境温度变化对产品性能的影响。
- 电源的选择: 推荐使用稳定的电源来驱动输入端，以确保可靠的工作状态。
5. 总结
总体来说，TCET1100G是一款高性能的晶体管输出光耦，具备5000Vrms的隔离能力和宽广的工作温度范围，非常适合于在复杂和多变的电气环境中使用。凭借其优越的电流传输比与快速响应特性，TCET1100G为现代电子设计提供了一种可靠且经济的解决方案，是高频应用、电压隔离需求以及高温运行条件下的理想选择。
6. 最后结构和获取信息
TCET1100G的4-DIP封装使其方便于通过标准PCB设计焊接在电路板上。更多的技术细节和应用示例，可以访问VISHAY官方网页或参考其相关设计手册进行深入了解，那里的资源能够提供更详细的技术支持和设计指导。