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STQ1NK80ZR-AP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-92-3
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3W 800V 300mA 1个N沟道 TO-92-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.01按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.01
--
100+
￥11.21
--
1000+
￥10.68
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
STQ1NK80ZR-AP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
STQ1NK80ZR-AP手册
无数据
STQ1NK80ZR-AP概述
STQ1NK80ZR-AP 产品概述
概述
STQ1NK80ZR-AP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其主要应用于高电压和高频率的电子电路中。凭借其优异的性能参数和广泛的工作温度范围，该 MOSFET 在工业应用、开关电源、逆变器及其他要求高效能和可靠性的场合，均可提供出色的解决方案。
主要参数
- 类型：N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：最高可承受 800V，适合高压应用
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时可达到 300mA，对于常用的电路设计提供了充足的电流能力
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动电压下，最大导通电阻为 16Ω @ 500mA，确保低功耗特性
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4.5V @ 50µA，适合广泛的驱动电平
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动条件下，栅极电荷最大值为 7.7nC，允许快速开关操作
- 输入电容（Ciss）：在 25V 下，最大输入电容为 160pF，确保信号的快速传输
- 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为 3W（Tc），适合高功率应用
- 工作温度范围：从 -55°C 到 150°C，适用各种环境条件
- 封装类型：TO-92-3，提供通孔安装方式
性能特点
STQ1NK80ZR-AP 的设计优化了漏极电流和导通电阻，使其能够在高电压情况下有效地控制电流流。其较高的 Vdss 值，使得该器件可以用于高压电源转换和电机控制等重要场合。MOSFET 的高开关速度，得益于其较低的栅极电荷和输入电容，能够大幅提升电路的功率转换效率。
此外，该 MOSFET 的宽工作温度范围使其可在极端环境下稳定工作，是工业和汽车等应用的重要选择。例如，在电源管理和逆变器电路中，该 MOSFET 能够以更好的效率和稳定性操作，确保系统的安全和可靠。
应用领域
- 电源管理：适用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器，能够提高能量转换效率。
- 电机驱动：在电机驱动和控制电路中，提供稳定的高电压输出与控制能力，适合用于变频器、位置控制等应用。
- 逆变器：特别是在光伏逆变器和UPS系统中，要处理高电压能量转换时，STQ1NK80ZR-AP 提供了必要的电气参数和性能。
- 汽车电子：由于其高耐温性，可以在汽车电气系统中应用，如电动助力转向、电子稳定程序等。
封装与安装
STQ1NK80ZR-AP 采用 TO-92-3 封装，支持通孔安装方式。这种封装形式便于散热并且适合各种印刷电路板（PCB）设计，能够满足不同端口的布线需求。
总结
STQ1NK80ZR-AP 是一款强大且高效的 N 通道 MOSFET，具备表现优秀的电气特性和适用范围广泛的优点。无论在工业应用、能源管理，还是汽车电子领域，该产品都能够提供可靠的性能和高效的解决方案。未来，随着电子技术的进步，STQ1NK80ZR-AP 将会被更加广泛地应用，以满足不断增长的电力需求和系统集成的挑战。