STP35N60DM2

STP35N60DM2 产品概述

1. 概述

STP35N60DM2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件在电力电子领域广泛应用，特别适合于高压、高电流的电源管理和开关控制的场合。其优秀的绝缘特性及低导通电阻使其在各种应用中表现出色。

2. 主要参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 漏源电压（Vdss）: 600V，适用于高压直流应用。
• 连续漏极电流（Id）: 28A（在 25°C 的钉片温度下），意味着在高温环境下仍可持续稳定工作。
• 导通电阻（Rds On）: 最大 110 毫欧 @ 14A，10V，表明在大电流工作时能够保持较低的功耗。
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 5V @ 250µA，适用于低电平驱动下的开关控制。
• 输入电容（Ciss）: 最大值 2400pF @ 100V，在高频应用中能提供良好的开关特性。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为 54nC @ 10V，意味着在驱动上能够实现快速切换，有效降低开关损耗。
• 功率耗散: 最大 210W（Tc），显示出其在处理高功率时的可靠性和耐受性。
• 工作温度范围: 它能够在-55°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作，使其在恶劣环境中依然可稳定运行。
• 封装形式: TO-220-3，这种封装设计优良，适用于散热管理。

3. 应用领域

STP35N60DM2 被广泛应用于以下领域：

• 电源管理: 适合于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC），提供高效率的能量转换。
• 电动汽车: 可用于电动汽车的电源电路和控制系统，具备高可靠性和耐用性。
• 工业控制: 用于工业设备中的驱动电路，如伺服电机驱动。
• 消费电子: 在各种消费性电子设备中开展高效电源切换。
• 家用电器: 应用于高能效家电产品，如洗衣机、冰箱等。

4. 性能优势

STP35N60DM2 在性能上的优势非常突出，以下是一些关键点：

• 低导通电阻: 通过降低 Rds On，可以显著减少在开关过程中产生的热量，从而提高整体能效，并延长设备寿命。
• 宽额定电压: 600V 的漏极源电压使其能够适应多种高电压电力应用。同时，其良好的电气隔离特性提供了额外的安全保障。
• 优异的热管理能力: 210W 的功率耗散能力与 TO-220 封装相结合，使得其在高负载条件下同样表现稳定，避免因过热而导致器件故障。
• 广泛的工作温度: 在极端温度下的高效运行，保证了其在多种复杂环境下的适用性。

5. 总结

总体而言，STP35N60DM2 是一款功能强大且性能卓越的 N 沟道 MOSFET，凭借其高耐压、高电流、高功率和良好的导通特性，适合于各类电源管理和开关应用。无论是在高频驱动、汽车、工业控制还是消费电子等领域，它都能够提供卓越的性能和可靠性，是设计工程师们的理想选择。