晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
产品概述:MMBT3906TT1G
MMBT3906TT1G 是一款由 ON(安森美)生产的高性能 PNP 型三极管,设计用于广泛的电子应用中。该器件具有优秀的电流处理能力、适中的电压耐受能力和出色的频率响应,成为各种电路设计的理想选择。
晶体管类型:PNP
电流和电压规格:
饱和压降 (Vce(sat)):
直流电流增益 (hFE):
功率处理能力:
频率特性:
工作温度:
封装和安装类型:
由于 MMBT3906TT1G 独特的性能特点,它广泛应用于多个领域,主要包括:
消费电子:用于音频设备、电视、数字信号处理器等,提供可靠的信号放大和开关功能。
工业控制:在工业自动化设备中,用于传感器和执行器的信号处理,确保系统的响应速度与准确性。
汽车电子:在汽车控制系统中,应用于传感器信号放大与控制模块,提升系统的整体效率与稳定性。
通信设备:由于其高频特性,可在手机和其他无线通信设备中作为信号放大器或开关使用。
电源管理:在电源转换和管理电路中,作为开关元件,提升转换效率。
MMBT3906TT1G 以其高集电极电流能力、可接受的电压值、低的饱和压降、高的直流电流增益和卓越的频率性能,成为当今电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在消费类电子产品还是在高端工业控制应用中,MMBT3906TT1G 都展现了其卓越的应用灵活性和高效的性能表现,是电子工程师在设计新产品时的理想选择。