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PMZ350UPEYL
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN-1006-3
包装 :
编带
重量 :
0.009g
描述 :
场效应管(MOSFET) 360mW 20V 1A 1个P沟道 X1-DFN1006-3
库存 :
113(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.284按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.284
--
500+
￥0.189
--
5000+
￥0.165
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMZ350UPEYL参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta），3.125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.9nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 127pF @ 10V |
PMZ350UPEYL手册
无数据
PMZ350UPEYL概述
PMZ350UPEYL 产品概述
一、产品简介
PMZ350UPEYL 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），其采用先进的金属氧化物技术，专为中低功率电子元件的应用而设计。该器件在-55°C到150°C的广泛工作温度范围内运行，具备优良的热稳定性和可靠性。PMZ350UPEYL 的独特设计和规格使其成为各种电子电路中的理想选择，特别是在需要高效能和紧凑布局的应用场景中。
二、主要规格
型式与封装：PMZ350UPEYL 使用 DFN1006-3 封装，具有小型化和表面贴装的特性，特别适合现代电子设备对空间的严格要求。其封装符合 SC-101 和 SOT-883 标准，确保良好的焊接性能和散热效果。
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：最高可达20V，适合低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，最大可承载1A电流。
- 栅源电压（Vgs）：最大承受电压为±8V，为电路设计提供更大的灵活性。
- 最大导通电阻（Rds On）：在4.5V 驱动电压和300mA的漏极电流下，最大导通电阻为450毫欧，确保高效能的电流传输。
开关特性：
- 导通阈值电压（Vgs(th)）：在250μA的偏置下，最大阈值电压为950mV，适应较低电平的开关信号。
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V驱动下，Qg 最大为1.9nC，有助于提升开关速度，降低功耗。
- 输入电容（Ciss）：在10V条件下，输入电容最大值为127pF，能够有效降低驱动功耗，提高电路的整体效率。
功率与散热：
- 功率耗散：器件最大功率耗散能力为360mW（在环境温度）和3.125W（在结温），使其能在不同的工作环境下稳定运行。
温度与可靠性：PMZ350UPEYL 在-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内具备优越的性能，能够适应各种严苛的工作环境，确保稳定性和可靠性。
三、应用场景
PMZ350UPEYL 由于其独特的技术特点，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：用于电源开关、负载开关及电池管理系统，提升能效。
- 消费者电子：适用于手机、平板、家用电器及消费类电子产品中的保护和控制电路。
- 通信设备：在基站和交流设备中，作为开关和控制器，保证高效的数据传输。
- 汽车电子：在车辆电子控制单元中提供高效的电流管理和保护。
四、总结
PMZ350UPEYL 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，凭借其优越的电气特性、出色的热稳定性和紧凑的封装设计，使其在现代电子设计中具有极高的实用价值。无论是在低压电源管理、消费者电子还是通信设备中，PMZ350UPEYL 都可以为设计师提供可靠的解决方案，从而推动产品的性能提升和市场竞争力的增强。选择 PMZ350UPEYL，将是您电子设备设计中的明智选择。