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IRFP4368PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-247AC
包装 :
管装
重量 :
8.2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 520W 75V 195A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
63(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
10.99按整 :
管(1管有400个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥10.99
--
10+
￥9.16
--
400+
￥9.16
--
4000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFP4368PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.85 毫欧 @ 195A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 570nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 19230pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4368PBF手册
无数据
IRFP4368PBF概述
产品概述：IRFP4368PBF MOSFET
产品简介
IRFP4368PBF 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其在电子元器件领域获得了广泛的应用。该 MOSFET 支持高达 75V 的漏源电压（Vdss），能够承受高达 195A 的连续漏极电流（Id），因此非常适用于高功率和高电压的应用场景。这款器件具有高导通效率和低导通电阻，非常适合用于电源管理、电动机驱动和其他高频应用。
技术规格
IRFP4368PBF 的基本技术参数如下：
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：75V
- 连续漏极电流（Id）：195A @ 25°C（Tc）
- 驱动电压：适用于 10V 驱动电压
- 导通电阻（Rds On）：最大值 1.85 毫欧 @ 195A，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值 4V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大值 570nC @ 10V
- 最大 Vgs：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大值 19230pF @ 50V
- 功率耗散：最大值 520W（Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247AC（TO-247-3）
优越性能
该 FET 的最大功率耗散能力达到 520W，使它在高负载和高温条件下仍能保持稳定工作。其宽广的工作温度范围使得 IRFP4368PBF 可以用于极端条件下，特别适合工业、航空和高温环境中的应用。低导通电阻（Rds On）和较大的连续漏极电流（Id）能够显著降低功率损耗，提升设备的整体效率，从而在多种应用场景中发挥作用。
应用场景
IRFP4368PBF 的应用领域十分广泛，主要包括：
- 电源管理：在开关电源和直流-直流转换器中，作为开关元件，提高效率和可靠性。
- 电动机驱动：可用于机械和电动系统中的驱动电路，提供强大的电流支持。
- 太阳能逆变器：在可再生能源系统中，作为逆变器的关键组件，确保高效能量转换。
- 汽车电子：在新能源汽车和传统汽车中，应用于电池管理系统和动力控制单元。
封装与安装
IRFP4368PBF 使用 TO-247AC 封装，适合通孔安装，便于散热。这种封装设计优化了散热性能，能够承受高功率操作，确保在各种应用中保持良好的性能。
总结
IRFP4368PBF 是一款高效的 N 通道 MOSFET，凭借其超过 75V 的漏源电压能力和 195A 的连续漏极电流，非常适合要求苛刻的工业和汽车应用。其低导通电阻、高功率耗散能力和宽工作温度范围使其成为现代电源管理和电动机控制中的重要组件。无论是在设计电源转换器、驱动电动机，还是在高温环境下运行，IRFP4368PBF 都能提供可靠的性能和高效的解决方案。