DTC014TEBTL
DTC014TEBTL参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 | 供应商器件封装 | EMT3F（SOT-416FL） |
DTC014TEBTL手册
DTC014TEBTL概述
DTC014TEBTL 产品概述
一、产品基本信息
DTC014TEBTL是一款由著名半导体制造商ROHM（罗姆）推出的数字晶体管，其主要应用于低功率、低电流的电子电路中。该产品采用NPN结构，具有良好的线性特性和高增益，非常适合用于开关应用和信号放大。这款晶体管的最大集电极电流（I_C）为100mA，电压击穿点（V_CE）最高可承受50V，特别适合在各种电子设备中作为开关元件或信号处理元件。
二、主要技术参数
晶体管类型：NPN - 预偏压
- 由于其NPN构造，DTC014TEBTL在电路中能够有效地控制电流，适用于负载驱动和开关应用。
电流 - 集电极 (I_C)：最大值 100mA
- 适合大多数小功率应用。
电压 - 集射极击穿 (V_CE)：最大值 50V
- 确保在高电压环境下的稳定性和可靠性。
基极电阻 (R1)：10 kOhms
- 正确的基极电阻配置可防止过流，确保晶体管正常工作。
增益 (hFE)：不同 I_C、V_CE 时最小值 100 @ 5mA，10V
- 这个增益在设计放大电路时非常重要，能够提供良好的信号放大效果。
V_CE 饱和压降：最大值 150mV @ 500µA，5mA
- 低压降可确保较高的功率效率，降低功耗。
集电极截止电流 (I_CBO)：最大值 500nA
- 低的集电极截止电流使其在静态情况下能耗较低，有助于提高系统效率。
频率 - 跃迁：250MHz
- 这个频率参数提示其适用于高速信号处理，适合高频应用。
功率 - 最大值：150mW
- 在多个小功率应用的设计上，能够为电路提供稳定的功率支持。
封装形式：SC-89 (SOT-490) 与 EMT3F (SOT-416FL)
- 其小型的表面贴装封装使得在空间有限的设计中非常适用。
三、产品应用
DTC014TEBTL广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及其他需要小型、高效率、信号放大的电子系统。例如：
- 手机和掌中宝：用于音频信号放大和控制电路。
- 电脑硬件：在电源管理和信号处理电路中可做开关管和放大器使用。
- 家用电器：在洗衣机、微波炉等家电中用于控制功能开关和信号路径。
- LED驱动：可直接控制小型LED的开关，适合室内外照明应用。
四、设计优势
采用DTC014TEBTL作为设计中的组件可以带来多重优势。其低功耗特性确保产品的长寿命和高效率。高增益和低饱和压降的特点，能够在实现高性能的同时降低能耗。而250MHz的跃迁频率使得其在快速切换和高频应用中也不会受到限制。
此外，小巧的封装设计为产品的布局和PCB设计提供了灵活性，能够容易地适应到现代紧凑型电子设备中。
五、总结
DTC014TEBTL是一款性能卓越、适用范围广泛的NPN数字晶体管，非常适合各种小型低功耗电子设备的设计与开发。凭借其高增益、低功耗以及良好的频率性能，该产品成为开发者和工程师在创建新产品时的有力工具。ROHM作为知名品牌的保证，也为其产品的可靠性和稳定性提供了强有力的支持。选择DTC014TEBTL，意味着选择了高效能和高可靠性，能够在越来越复杂的电子电路中发挥重要作用。