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IRFP4768PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-247AC
包装 :
管装
重量 :
8.2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 520W 250V 93A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.5按整 :
管(1管有400个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.5
--
10+
￥7.25
--
400+
￥7.25
--
4000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFP4768PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 93A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.5 毫欧 @ 56A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 270nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10880pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4768PBF手册
无数据
IRFP4768PBF概述
IRFP4768PBF 产品概述
产品简介
IRFP4768PBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。采用TO-247AC封装，通常用于电源转换、逆变器和电机驱动等领域。其卓越的电气特性使其在各类电子设备中都能发挥出色的性能。
主要技术参数
- 类型: N通道MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 最高250V，使其适合高电压应用环境。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，最大可达93A，确保在高负载情况下依然稳定运行。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在10V的栅极驱动电压下，@56A时的最大Rds(on)可低至17.5毫欧，这极大地降低了功耗和发热量。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为5V @ 250µA，保证在低电压下可靠开启。
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为270nC @ 10V，保证了MOSFET的快速开关能力，适用于高频率应用。
- 输入电容 (Ciss): 在50V下的最大值为10880pF，提供了良好的输入特性，适应多种驱动条件。
- 功率耗散 (Pd): 最大可达520W，表明该器件具有较高的功率处理能力。
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C，适应恶劣环境下的应用场景。
- 封装类型: TO-247AC，具有良好的热管理特性，方便安装和散热。
应用场景
IRFP4768PBF广泛应用于多个领域，主要包括：
- 电力电子: 应用于DC-DC变换器、AC-DC适配器、逆变器等电源设备，提升能源转换效率。
- 电机控制: 作为驱动电机的开关元件，确保在高负载条件下能有效运行。
- 感应加热: 由于其高电流和高效率特性，适合用于射频加热等工艺。
- 汽车电子: 在汽车电源管理、混合动力车电池管理系统中表现出色。
性能优势
- 高效率: 由于低Rds(on)，IRFP4768PBF可有效减小开关损耗和导通损耗，提升整体效率，降低热量生成。
- 稳定性: 强大的电流处理能力和高工作温度范围，使其在极端条件下依然保持良好稳定性，适合严苛的工业和汽车环境。
- 灵活性: 该器件支持宽广的工作电压和电流，能够适应多种不同的应用需求，且易于与现有电路集成。
结论
总体而言，IRFP4768PBF是一款性能优异的N通道MOSFET，适合用于各种高电压、高电流的电源转换及驱动应用。其出色的导通电阻、功率处理能力和稳定性使其在电力电子行业中广受青睐。如果您正在寻找一款高效、可靠的MOSFET，IRFP4768PBF值得优先考虑。