制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
DTA143XU3T106 是由日本罗姆半导体(Rohm Semiconductor)制造的一款 PNP 型三极管(BJT),其采用卷带(TR)包装形式,主要适用于表面贴装的电子产品。基于其优良的性能参数,DTA143XU3T106 在各类电子电路中表现出色,广泛应用于开关电路和信号放大等场合。
制造商及包装: DTA143XU3T106 是罗姆半导体公司出品,提供可靠的质量保障。该器件采用卷带包装(TR),便于自动化贴片生产,符合现代电子产业对高效率生产的需求。
晶体管特性: 这是一款 PNP 类型的三极管,适合负电压操作,能够在多种工作环境下稳定运行。其具有预偏压的特性,使其适合与逻辑电路和其他数字电路配合使用。
电流增益: 在 5V 的基极电压与 10mA 集电极电流下,DTA143XU3T106 的直流电流增益 (hFE) 最小值为 30,表现出优良的增益特性。这意味着即使在相对较小的基极电流下,该三极管也能输出相对较大的集电极电流,适合用于多种放大应用。
击穿电压与饱和压降: 该三极管的最大集射极击穿电压(Vce)为 50V,提供了良好的耐压能力。在工作于 500µA 的基极电流与 10mA 的集电极电流时,饱和压降(Vce(sat))最大值为 300mV,这意味着在转换过程中,能量损耗较小,有助于提高整体电路的能效。
电流容限与功率: DTA143XU3T106 的最大集电极电流(Ic)可达 100mA,适合大多数小功率应用。此外,最大功率限制为 200mW,确保在负载条件下的安全运行。
频率性能: 该器件具有高达 250MHz 的跃迁频率,适合高频应用,例如 RF 组件和高速数字电路。这种高频特性使其对于追求速度和响应时间的设计非常精准。
电阻器建议: 对于特定的应用场景,基极电阻(R1)可设置为 4.7 kOhms,而发射极电阻(R2)可设为 10 kOhms,根据电路设计的不同需要,精确选用可实现最佳性能。
DTA143XU3T106 的广泛应用范围包括:
DTA143XU3T106 三极管凭借其优良的电气性能、适中的工作电压及电流特性,使其成为电子设计师的理想选择。无论是用于音频放大,开关控制,还是在高频 RF 应用中,它都能提供满意的性能和可靠性,是现代电子产品中不可或缺的元器件之一。选择 DTA143XU3T106,您将会拥有一款性能稳定、应用广泛的高品质三极管,助力各种电子产品的开发与创新。