PZT2907AT1G
PZT2907AT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W | 基本产品编号 | PZT290 |
PZT2907AT1G手册
PZT2907AT1G概述
PZT2907AT1G 产品概述
制造商背景 PZT2907AT1G是由ON Semiconductor（安森美半导体）公司生产的一款高性能PNP型双极晶体管（BJT）。作为全球知名的半导体解决方案提供商，ON Semiconductor以其创新的产品和高质量的制造工艺在行业内得到广泛认可。ON的产品广泛应用于汽车、工业以及消费电子等多个领域。
产品基本信息 PZT2907AT1G是一款用于高功率开关和信号放大的PNP三极管，封装采用SOT-223-4。该器件的基本产品编号为PZT290，具有良好的电流放大特性和宽工作温度范围，这使得其能够在各种应用环境中表现出优异的性能。
主要性能参数
电流和电压特性：PZT2907AT1G的集电极电流（Ic）最大可达600mA，与此同时，在不同的集电极电流（Ic）和电流增益（hFE）下，该器件的Vce饱和压降最大值为1.6V @ 50mA与500mA，显示出其在高负载下的高效能。此外，器件在集电极截止状态下的最大电流为10nA，证明其在关断状态下的优越性能。
频率特性：该三极管的跃迁频率高达200MHz，使其适合于高频应用，从而满足现代电子设备的需求。
工作温度范围：PZT2907AT1G的工作温度范围为-65°C至150°C，能够满足苛刻环境下的工作要求，适用于航空航天、汽车电子等要求严格的行业。
功耗能力：该器件的最大功耗为1.5W，显示了其在高负载条件下的稳定性和可靠性。优秀的功率特性使其在众多应用中都能安全且有效地运行。
增益特性：在150mA和10V的条件下，PZT2907AT1G的DC电流增益（hFE）最低可达到100，表明该器件能够实现较好的信号放大能力。
封装与安装 PZT2907AT1G采用SOT-223-4封装，可以方便地进行表面贴装。SOT-223封装因其小尺寸和良好的热性能被广泛应用于各种电子电路中，满足现代电子产品对空间和散热的苛刻要求。
应用场景 PZT2907AT1G适用于多种电子电路，包括但不限于：
- 放大器电路：可用于音频、RF等信号放大。
- 开关电路：由于其良好的饱和电压特性，适合用于高效能的开关电路设计。
- 电源管理：在DC-DC转换器和线性稳压器中应用广泛，助力电源的高效稳定运作。
- 波形整形器：能够处理各种信号波形，适用于模拟和数字信号转换。
总结 PZT2907AT1G是一款高性能的PNP型双极晶体管，具备极高的集电极电流处理能力和出色的电流增益，同时支持宽广的工作温度范围和高频特性。凭借ON Semiconductor的品牌信誉与产品质量，PZT2907AT1G成为各类电子产品设计中的理想选择，无论是用于信号放大、开关操作还是电源管理，其优越的性能都能实现设计需求，从而为多种应用场景提供高效稳定的解决方案。