功率(Pd) | 72W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.7Ω@10V,1.0A | 漏源电压(Vdss) | 900V |
类型 | 1个N沟道 |
TK2P90E,RQ(S 是东芝(TOSHIBA)推出的一款 N-channel MOSFET(场效应管),采用 TO-252 封装。作为一种常用的功率半导体元器件,这款 MOSFET 主要用于电子电路中的开关和放大功能,广泛应用于电流控制、电源管理及其他高频应用场合。
TK2P90E,RQ(S采用TO-252封装,这是一种适合表面贴装的封装形式,具有良好的散热性和抗机械振动特性。TO-252封装不仅提高了芯片的散热效率,也便于在自动贴装机上进行高效率的组装,适用于大规模生产。
这些电气特性使 TK2P90E,RQ(S非常适合高效率电源转换、马达驱动和其他需要高功耗的应用。
TK2P90E,RQ(S广泛应用于各种电子设备中,特别是在以下几个应用领域表现突出:
作为东芝的一款高性能 N-channel MOSFET,TK2P90E,RQ(S凭借其高电压、高电流承受能力、低导通电阻和快速的开关性能,已成为许多电源管理和开关应用中的理想选择。该产品的出色特性和 TO-252 封装设计使其在市场中具备竞争优势,满足了现代电子设备对高效率和高性能的需求。无论是在工业应用、消费电子,还是在汽车电子中,TK2P90E都是一款值得信赖的选择。对于设计师而言,这款MOSFET提供了可靠的解决方案,以应对当今快速发展的电子技术的挑战。