TK2P90E,RQ(S 产品实物图片
TK2P90E,RQ(S 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TK2P90E,RQ(S

商品编码: BM0186888873
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
TO-252
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) TK2P90E,RQ(S TO-252
库存 :
200(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.52776
按整 :
托盘(1托盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.52776
--
100+
¥1.51307
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

TK2P90E,RQ(S参数

功率(Pd)72W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.7Ω@10V,1.0A漏源电压(Vdss)900V
类型1个N沟道

TK2P90E,RQ(S手册

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TK2P90E,RQ(S概述

TK2P90E,RQ(S MOSFET 产品概述

1. 引言

TK2P90E,RQ(S 是东芝(TOSHIBA)推出的一款 N-channel MOSFET(场效应管),采用 TO-252 封装。作为一种常用的功率半导体元器件,这款 MOSFET 主要用于电子电路中的开关和放大功能,广泛应用于电流控制、电源管理及其他高频应用场合。

2. 主要特点

  • 高电压及高电流承受能力: TK2P90E,RQ(S 设有较高的耐压特性,适用于多种需要高电压隔离的应用场合。其最大漏极-源极电压(V_DS)可达 90V,能够处理较大的负载电流,提升了系统的稳定性与可靠性。
  • 低导通电阻: 该MOSFET的R_DS(on)值较低,意味着在正常工作状态下,通道的导通损耗极小,可以有效降低热量产生,提高整体电效能。
  • 快速开关速度: TK2P90E具备优良的开关特性,适合用于高频应用和快速开关电源。
  • 易于驱动: N-channel MOSFET的结构使其在驱动时相对简单,降低了控制电路的复杂度。

3. 封装类型

TK2P90E,RQ(S采用TO-252封装,这是一种适合表面贴装的封装形式,具有良好的散热性和抗机械振动特性。TO-252封装不仅提高了芯片的散热效率,也便于在自动贴装机上进行高效率的组装,适用于大规模生产。

4. 电气特性

  • 最大漏极电压(V_DS): 90V
  • 最大漏极电流(I_D): 30A(典型值)
  • 导通电阻(R_DS(on)): 低至 0.12Ω
  • 最大功耗(P_D): 45W(在适当的散热条件下)
  • 工作温度范围: -55℃至+150℃

这些电气特性使 TK2P90E,RQ(S非常适合高效率电源转换、马达驱动和其他需要高功耗的应用。

5. 应用领域

TK2P90E,RQ(S广泛应用于各种电子设备中,特别是在以下几个应用领域表现突出:

  • 电源转换: 由于其快速开关能力和稳定性,这种MOSFET可以用于开关电源(SMPS),大幅提升电源效率,降低能耗。
  • DC-DC转换器: 在DC-DC电源模块中,从输入电压转换到输出电压的过程中,TK2P90E能够高效处理电流,确保稳压输出。
  • 功率放大器: 该产品能够有效增强信号,与其他电路元件协同工作,提高整体系统性能。
  • 电机控制: 在电气伺服控制系统中,TK2P90E可以用于电机驱动器的开关应用和信号调节,提供精准的控制。

6. 结论

作为东芝的一款高性能 N-channel MOSFET,TK2P90E,RQ(S凭借其高电压、高电流承受能力、低导通电阻和快速的开关性能,已成为许多电源管理和开关应用中的理想选择。该产品的出色特性和 TO-252 封装设计使其在市场中具备竞争优势,满足了现代电子设备对高效率和高性能的需求。无论是在工业应用、消费电子,还是在汽车电子中,TK2P90E都是一款值得信赖的选择。对于设计师而言,这款MOSFET提供了可靠的解决方案,以应对当今快速发展的电子技术的挑战。