MMBTA13LT1G
MMBTA13LT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 100µA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10000 @ 100mA，5V | 频率 - 跃迁 | 125MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 300mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 功率 - 最大值 | 225mW | 基本产品编号 | MMBTA13 |
MMBTA13LT1G手册
MMBTA13LT1G概述
MMBTA13LT1G 产品概述
产品简介
MMBTA13LT1G是一款由ON Semiconductor（安森美）制造的高性能达林顿功率晶体管，具有优异的电流增益和高频特性。该器件采用表面贴装型(SMD)封装，适合现代电子设备的需求，尤其是在对空间和效率有严格要求的应用场景中。其封装类型为SOT-23-3（TO-236），具有良好的散热性能和稳定的电气特性，广泛应用于通信、消费电子、工业控制等多个领域。
主要特性
高电流增益: MMBTA13LT1G的DC电流增益(hFE)在100mA、5V条件下达到显著的10000，意味着即使在相对较低的基极电流(IB)条件下，晶体管也能提供很高的集电极电流(IC)，这使其非常适合信号放大、开关等需要大增益的电路应用。
饱和压降: 在不同的IB和IC条件下，晶体管的饱和压降(Vce饱和)最大值为1.5V（100µA和100mA）。这一特性使得MMBTA13LT1G在开关应用时具有良好的能量效率，有助于降低功耗。
高频响应: 该器件的跃迁频率（fT）可达125MHz，表明其适合于高频信号处理，能够在广泛的频率范围内保持稳定的性能。
宽工作温度范围: MMBTA13LT1G能够在-55°C到150°C的极端温度条件下工作，保证其在各种苛刻环境中的可靠性。这一特性特别适用于汽车电子、军用设备及其他严酷环境下的应用。
小型封装: SOT-23-3封装使得MMBTA13LT1G在提供高性能的同时，减小了占用的电路板空间。这对追求小型化设计的现代电子产品尤为重要。
优秀的集电极截止电流: 在最大状态下，该器件的集电极截止电流(ICBO)仅为100nA，表明其在关闭状态下具有极低的漏电流，提升了整机的能耗效率。
应用场景
MMBTA13LT1G广泛应用于各种电子电路中，典型应用包括：
- 信号放大器: 由于其高增益和低噪音特性，适合用于音频和视频信号放大。
- 开关电路: 能够作为高效的开关元件，用于驱动继电器、LED等负载元件。
- 电源管理: 在电源转换和稳压电路中，作为开关元件提升系统的效率。
- 射频应用: 高频特性使其适合无线电、电视及其他射频电路。
- 消费电子: 在电视、电脑、手机等消费电子产品中使用，满足高性能和小型化的需求。
总结
MMBTA13LT1G是得益于ON Semiconductor先进技术的一款高性能达林顿晶体管，其特性使其适用于多种苛刻应用场景。凭借卓越的电流增益、低饱和压降、高频特性和宽温工作范围，它已经成为电子设计工程师在开发高效、紧凑型电路时的重要选择。无论是在消费电子、工业自动化还是通信设备上，MMBTA13LT1G都能为系统提供可靠的解决方案，确保性能与效率的最佳平衡。