注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRLML9303TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23(Micro3)
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.25W 30V 2.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
16380(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.649按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.649
--
200+
￥0.447
--
1500+
￥0.407
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLML9303TRPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 165 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 10µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML9303TRPBF手册
无数据
IRLML9303TRPBF概述
产品概述：IRLML9303TRPBF
一、基本信息
IRLML9303TRPBF是一款高性能的P沟道MOSFET，专为低电压开关和功率管理应用而设计。其技术特点使其在各种电子电路中表现出色，尤其适用于电源管理、电机驱动以及负载开关等应用场景。这款器件由知名品牌英飞凌（Infineon）制造，具有优良的热性能和电气特性，满足现代电子设备对高效率和低功耗的需求。
二、关键参数
- FET 类型： P 通道
- 漏源电压（Vdss）： 30V
- 连续漏极电流（Id）： 2.3A（在25°C环境温度下）
- 驱动电压： 4.5V（最大 Rds On），10V（最小 Rds On）
- 导通电阻（Rds On）： 在2.3A、10V时，最大值为165毫欧
- 开启阈值电压（Vgs(th)）： 在10µA时，最大值为2.4V
- 栅极电荷（Qg）： 在4.5V时，最大值为2nC
- 输入电容（Ciss）： 在25V时，最大值为160pF
- 功率耗散（Pd）： 最大功率为1.25W（在25°C环境下）
- 工作温度范围： -55°C至150°C
- 封装类型： SOT-23 (Micro3) 表面贴装型
三、产品技术优势
高导通效率： IRLML9303TRPBF的导通电阻（Rds On）非常低，使其在开启状态下的功耗减少，从而提高了整体电路的能效，这对于电池供电的设备尤为重要。
宽工作温度范围： 该器件可以在极端温度条件下工作，范围从-55°C到150°C，适合各种工业和汽车应用。
紧凑封装设计： 采用SOT-23封装，IRLML9303TRPBF非常适合空间有限的应用，从而为设计师提供灵活性，以在狭窄的电路板布局中使用。
易驱动特性： 低驱动电压和小栅极电荷，使得它能够与各种微控制器和数字电路兼容，简化了设计复杂性并降低了线路驱动功耗。
四、应用场景
- 电源管理： IRLML9303TRPBF非常适合于高效电源开关，能够在高频率下工作以提高电源转换效率。
- 负载开关： 在各种负载开关应用中，如LED驱动和电机控制，能够有效地控制电流流过负载。
- 保护电路： 由于其低的导通电阻和高的阻断电压，IRLML9303TRPBF也可用于过电流保护电路，防止过载损坏设备。
- 逻辑电平转换： 该P沟道MOSFET适合用于不同逻辑电平之间的转换，实现多种电子信号的适配。
五、总结
IRLML9303TRPBF MOSFET是当今市场上一款高效、可靠且功能强大的电子元器件。其优异的电气特性和适用范围使其成为令人青睐的选择。无论是在电源管理、负载开关还是智能设备中，这款器件都能提供卓越的性能和可持续的解决方案。通过采用IRLML9303TRPBF设计的新一代电子产品，不仅可以降低能耗，还能提高系统整体的可靠性与稳定性。