二极管配置 | 1 对串联 | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 70V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 200mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 15mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | 5ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 50V |
工作温度 - 结 | 125°C(最大) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
产品简介
BAS70-04-G3-08 是一种高性能的肖特基二极管,采用了现代半导体技术和先进的电气参数设计,广泛应用于各种电子电路中,特别是在电源管理、开关电源、整流电路和信号调制等场景。由知名品牌VISHAY(威世)制造,该器件专为在小型表面贴装型(SMD)应用中实现高效率而设计,确保设备在高频和高温环境下的可靠性与稳定性。
产品特性
二极管配置与类型:BAS70-04-G3-08 采用一对串联的肖特基二极管配置,确保在高电压和电流环境下的不同行为和性能。这种配置在一定程度上提高了二极管的反向耐压能力,同时降低其正向压降。
高反向电压能力:该型号的最大反向电压(Vr)可达70V,使其能够在高压网络中安全工作,适用于大多数消费电子及工业应用。
优异的整流能力:最高电流(Io)额定为200mA,使该器件能够处理较高的电流负载,适配于电源管理及多种长时间工作场景。其正向电压降(Vf)仅在1V @ 15mA,显示出其在工作时的高效率。
快速反向恢复特性:反向恢复时间(trr)为仅5纳秒,显示出其高效率和快速响应能力,适合高速开关应用。
极低的反向漏电流:在50V时的反向泄漏电流为100nA,显示出其在关断状态下的优秀表现,有效减少了能量损耗,提升了整体电路的效率。
工作温度范围:结温最高可达125°C,确保在高温环境下长时间可靠运行,适合各种工业和消费电子产品的严苛条件。
紧凑的封装:以TO-236-3、SC-59和SOT-23-3封装形式提供,使其适合于空间受限的应用环境,如便携式设备、智能手机和现代家电。
简化的安装方式:采用表面贴装设计,便于自动化生产装备的快速组装与焊接,减小了生产成本以及提高了生产效率。
应用领域
BAS70-04-G3-08 适合广泛的应用场景,包括但不限于:
结论
在现代电子设计中,对元器件的性能、尺寸和成本的要求日益提高。而BAS70-04-G3-08正是满足这些需求的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是在电源管理等领域,这款肖特基二极管都表现出色。凭借其优异的性能、小型的封装、低正向压降和快速反向恢复能力,BAS70-04-G3-08能够大幅提升电路的整体效率和性能,是电子工程师和产品设计师的优选元件。