制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,6V | 频率 - 跃迁 | 80MHz |
工作温度 | 125°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | S-Mini |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
功率 - 最大值 | 150mW | 基本产品编号 | HN1D03 |
引言
2SA1162-Y, LF 是一款由东芝半导体和存储公司制造的高性能PNP型双极性晶体管(BJT)。该器件在现代电子设计中具有广泛的应用场景,尤其是在音频放大器、信号放大器和其他线性应用中,其出色的电气性能和高可靠性使得其成为理想的选择。
基本特性
电气性能
饱和压降 (Vce(sat)): 在10mA和100mA的集电极电流条件下,Vce饱和压降(最大值)为0.3V。这一低饱和压降有助于提高电路的整体效率,降低功耗。
集电极截止电流 (ICBO): 最大值为100µA,表明该器件在非导通状态下的漏电流非常小,有助于提升系统的稳定性和效率。
直流电流增益 (hFE): 在2mA,6V时的最小直流电流增益为120。高hFE值意味着该晶体管在小信号条件下的放大能力强,适合用于增益较高的应用。
频率响应: 该器件的跃迁频率为80MHz,能够支持高速信号处理,这使其适合用于高频开关应用和射频电路。
工作环境
工作温度范围: 最高工作温度为125°C,适合在极端环境下运行,能够满足工业和汽车等领域的严苛要求。
安装类型: 采用表面贴装型(SMD),其紧凑的封装形式(TO-236-3,SC-59,SOT-23)可以减少电路板空间占用,非常适合现代电子产品的小型化设计。
封装类型: S-Mini封装,增强了元件在电路板上的稳定性,易于实现高密度的集成。
应用场景
2SA1162-Y, LF 的特性使其在多个领域表现出色,具体包括:
音频放大: 由于其高增益和低失真的特性,适合用于音频信号的放大。
开关应用: 其快速响应时间和低饱和压降使得2SA1162-Y, LF能够很好地用作电子开关,在电源管理和调制解调器电路中很受欢迎。
线性放大器: 由于其较低的集电极截止电流及高hFE,能够作为线性放大器中的信号放大元件。
继电器驱动: 在继电器驱动电路中应用,由于具有较高的集电极电流能力,可以有效控制中等负载。
信号转发: 在通信设备中可以用作信号转发的关键元件,其频率响应能力使得其在数据传输中非常重要。
总结
综合来看,2SA1162-Y, LF 不仅在性能上表现突出,其适应性和多功能性也使其成为电子设计工程师在选择PNP晶体管时的理想之选。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,2SA1162-Y, LF 都能提供可靠和高效的解决方案,推动现代电子技术的发展。