晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTA123TUA-7-F是一款高性能的PNP预偏压数字晶体管,设计用于各种数字电子电路中。凭借其优异的参数和紧凑的封装,DDTA123TUA-7-F 被广泛应用于信号放大、开关电路、线性稳压器等场景,特别适合需要高频特性和高电流增益的应用。该产品由知名电子元件供应商DIODES(美台)生产,确保了产品的可靠性和稳定性。
高电流处理能力: 最大100mA的集电极电流使得DDTA123TUA-7-F能够满足多种中小型负载的需求。
紧凑封装: SOT-323封装提供了小尺寸和低profile的解决方案,非常适合空间受限的应用。这种封装形式对于移动设备和便携式电子产品尤其重要。
高电压和高频性能: 50V的集射极击穿电压以及高达250MHz的跃迁频率,使其能够在高速数字电路中表现优秀,满足现代通信和计算设备的需求。
低饱和压降: 300mV的饱和压降意味着在开关状态下,设备将产生更少的热量,能效更高,进而提高了整个系统的效率。
优良的增益特性: FC特性的hFE值最小为100,确保在小输入信号变化下,能够实现较大的输出电流变化,增强了信号放大的能力。
稳定性和可靠性: 最小化的集电极截止电流(ICBO)和高达200mW的功率处理能力使得DDTA123TUA-7-F在复杂应用中保持着优异的性能。
DDTA123TUA-7-F被广泛运用于多种电子设备及其应用场景,特别适合以下领域:
DDTA123TUA-7-F是一款功能全面、性能卓越的PNP预偏压数字晶体管,凭借其高电流处理能力、优秀的频率响应和紧凑的封装形式,能够满足现代电子产品设计中对效率和空间的双重要求。无论是用于开关电路还是信号放大,DDTA123TUA-7-F都是值得信赖的选择,适合在多种应用中发挥其优势。