DDTA113TE-7-F
DDTA113TE-7-F参数
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTA113TE-7-F手册
DDTA113TE-7-F概述
产品概述：DDTA113TE-7-F
一、概述
DDTA113TE-7-F是一款高性能的PNP型数字晶体管，其设计旨在满足广泛的电子应用需求，尤其适用于数字电路和开关电路。这款晶体管具有相对较高的集电极电流能力（最大100mA）和较高的电压承受能力（最大50V），使其能够有效地驱动各种负载，且在多种工作条件下稳定运行。得益于其优良的电流增益（hFE最小值为100），此产品特别适合用于需要高增益的放大和开关操作中。
二、产品特点
类型与特性：作为一款PNP型预偏压晶体管，DDTA113TE-7-F特别设计用于数字电路应用，提供简单的驱动解决方案。预偏压的设计能够降低设计复杂度，用户在设计时无需考虑基极偏置电路。
电气性能：
- 集电极电流（Ic）：最大承受电流为100mA，适用于多种小功率驱动需求，如LED驱动、继电器控制等。
- 集射极击穿电压（Vce）：最高可承受50V，适合中小电压应用场景，确保器件的可靠性和稳定性。
- 电流增益（hFE）：在1mA和5V的条件下，最小DC电流增益为100，能够提供足够的放大倍数。
- 饱和压降（Vce(sat)）：在1mA和10mA电流条件下的饱和压降最高仅为300mV，有助于提高电路效率，降低能耗。
低截止电流：集电极截止电流最大为500nA，表明此器件在关闭状态下几乎没有电流泄漏，进一步增强了电路的稳定性和可靠性。
高频性能：DDTA113TE-7-F的跃迁频率可达到250MHz，适用于高频开关电路，极大地扩展了其应用领域。
功率处理能力：最大功率为150mW，这使得该晶体管能够承受相对较高的功率而不易损坏，适用于多种动态变化的负载情况。
封装类型：采用SOT-523封装，表面贴装设计使其占用空间小、便于自动化贴装，适合现代电子设备的紧凑设计。
三、应用领域
DDTA113TE-7-F被广泛应用于数字电路、开关电路、 LED驱动、信号处理电路及功率管理电路等多个领域。其低功耗特性和高效的电流增益使其非常适合在高频操作和高集成度的设备中使用。
如在手机、平板电脑等便携设备中的电源管理电路，或是家电产品中控制小型电机和继电器的开关。此外，该产品也适用于用于各种自动化设备和消费电子产品中，帮助实现小型化和高效运行。
四、总结
总体而言，DDTA113TE-7-F是一款技术先进、适应性强的PNP型数字晶体管。凭借其优秀的电气性能和规格，广泛的应用范围，以及紧凑的封装设计，这款晶体管是现代电子解决方案中不可或缺的一部分。无论是研发新产品、改进现有设计，还是构建高效能的电子系统，DDTA113TE-7-F都能够为工程师们提供可靠的支持与保障。