DMP2160UFDBQ-7
DMP2160UFDBQ-7参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 2.8A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.5nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 536pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（B 类） |
DMP2160UFDBQ-7手册
DMP2160UFDBQ-7概述
DMP2160UFDBQ-7 产品概述
产品简介
DMP2160UFDBQ-7 是一款由 DIODES 供应的高性能 P 沟道绝缘栅场效应管（MOSFET）。它专门设计用于高效的功率管理和开关应用，适用于广泛的电子电路和设备。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，具有优异的热性能和空间效率，适合于现代紧凑型电子产品设计。
主要特性
FET 类型及功能： DMP2160UFDBQ-7 采用双 P 沟道 FET 设计，支持标准的开关和功率传输功能。双通道结构使其在电路中更为灵活，可以同时处理多个信号或电流路径。
电压与电流规格：
- 漏源电压 (Vdss)：20V，这是该 MOSFET 能够承受的最大电压，确保其在低压应用中稳定运行。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，DMP2160UFDBQ-7 可以承受高达 3.8A 的连续漏极电流，非常适合高功率需求的应用。
导通电阻： 该 MOSFET 在 2.8A、4.5V 的条件下，最大导通电阻为 70 毫欧，这提供了良好的 conductivity 以减少功率损耗，并提高效率。
阈值电压 (Vgs(th))： DMP2160UFDBQ-7 的最大阈值电压（Vgs(th)）为 900mV，这确保了其能够在较小的栅电压下实现有效开关操作。
栅极电荷 (Qg)： 在 4.5V 的栅电压下，该 MOSFET 的最大栅极电荷为 6.5nC，意味着在开关过程中能够快速充电和放电，降低开关损耗。
输入电容 (Ciss)： 在 10V 时的输入电容为 536pF，这使得在高速开关应用中具有良好的表现。
功率处理能力： 该器件具备 1.4W 的最大功率处理能力，确保其在高负载条件下的可靠性和稳定性。
工作环境与封装
DMP2160UFDBQ-7 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适用于各种工业和商业环境。其封装类型为 U-DFN2020-6（B 类），具备优良的热管理特性，适合高密度 PCB 应用。裸露焊盘设计使其在焊接过程中提供良好的机械连接和热传导。
应用领域
DMP2160UFDBQ-7 适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 开关电源
- 电池管理系统
- DC-DC 转换器
- 高效电机控制
- LED 驱动和控制
总结
DMP2160UFDBQ-7 是一款出色的 P 沟道 MOSFET，结合了优秀的电气性能和可靠的工作参数，能够满足多种应用场景的需求。无论是在高频开关电源，还是在低压高效能的电源管理系统中，该器件均能发挥其最佳性能，确保系统的高效与稳定运行。选择 DMP2160UFDBQ-7，您将为电子设计注入更多的灵活性与可靠性。