类型 | 齐纳 | 双向通道 | 2 |
电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 3.8V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 7V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 35W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 10pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | X2-DFN1010-3 |
D3V3L2B3LP10-7 是一种高性能的齐纳二极管,专为电子设备的电压保护而设计。作为一款双向通道的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,D3V3L2B3LP10-7 在反向电压中具备极高的耐压能力,适用于多种应用场景,尤其是在要求稳定性和耐用性较高的电源线路和信号线路保护中。
D3V3L2B3LP10-7 的关键参数如下:
双向通道: 具备双向保护特性,能够有效抑制正负方向的瞬态过压信号。
最大反向断态电压: 3.3V,适合需要低电压保护的应用场景。
最小击穿电压: 3.8V,确保在适当的工作状态下保持电路稳定性,避免不必要的反向电流引发损坏。
最大压限制电压: 在不同的脉冲电流下,最大箝位电压为 7V,此特性有助于控制突发电压对电路的伤害,确保设备的安全运行。
峰值脉冲电流: 该元器件能够承受最高 5A 的峰值脉冲电流(以 10/1000µs 的时间参数为基准),这表明该产品在极端条件下仍具备良好的耐受能力。
峰值功率: 最多可承受 35W 的峰值功率,进一步增强了其作为瞬态电压抑制器的有效性。
工作温度范围: 产品的工作温度范围广泛,-65°C 至 150°C,适合恶劣环境下的应用,确保长期稳定工作。
电容特性: 在 1MHz 的操作频率下,D3V3L2B3LP10-7 提供 10pF 的电容值,有助于减小信号失真,提升信号质量。
安装类型和封装: 采用表面贴装技术(SMD),封装类型为 X2-DFN1010-3,适合各种自动化生产流程,其小巧的体积更便于现代电子设备的集成。
D3V3L2B3LP10-7 元件广泛应用于电源和信号线保护,其适用场景包括:
D3V3L2B3LP10-7 是一款设计精良、性能优异的齐纳二极管,凭借其广泛的工作温度范围、双向稳压特性以及高峰值电流承受能力,成为现代电子设备中电压保护的重要组成部分。无论是高科技通信设备还是日常消费电子,均能在其高效保护下,保障设备的稳定性和可靠性。作为 DIODES(美台)公司推出的产品,D3V3L2B3LP10-7 将为广大客户提供优质的电压保护解决方案。