DMP3018SFV-7
DMP3018SFV-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 11.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 51nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2147pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8（UX 类） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3018SFV-7手册
DMP3018SFV-7概述
DMP3018SFV-7 产品概述
DMP3018SFV-7是一款高性能的P沟道MOSFET，专为需要高效能和高可靠性的电子电路设计而开发。这款MOSFET采用现代的金属氧化物半导体技术，具有优良的电气特性和热性能，非常适合用于各种功率管理和开关应用。其工作电压范围为30V，最大连续漏极电流为11A（在环境温度25°C时），并在低温条件下可以提高到35A（在晶体管基板处的温度下），这使得该元器件特别适合用于高电流密度的应用场合。
关键参数
漏源电压（Vdss）
DMP3018SFV-7的漏源电压 rated为30V，能够在保护系统的同时确保高侧和低侧开关操作的安全性。
漏极电流（Id）
在环境温度25°C下，该MOSFET可持续承受11A的漏极电流，并提供在更高工作温度环境中达到35A的能力。这一特性使其非常适合用于电机驱动、DC-DC转换器以及其他许多高功率应用。
导通电阻（Rds(on)）
设备具有低导通电阻，典型值为12毫欧（在11.5A，10V时）。较低的Rds(on)意味着在工作过程中产生的热量较少，有助于提升设备的整体效率和可靠性。
驱动电压（Vgs）
DMP3018SFV-7支持多种驱动电压选项，最低驱动电压为4.5V，最高为10V，确保它能够与不同的控制电路兼容工作。此外，它的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，可以有效促进开关速度和响应时间。
特性与优点
优良的热性能：该元器件的功率耗散能力达到1W（在环境温度下）。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使得在极端环境中工作的可靠性得以保障。
小型封装设计：DMP3018SFV-7采用了PowerDI3333-8封装，具有紧凑的体积和良好的散热性能，适合高集成度的电路板设计。该封装不仅减少了元器件间的空隙，有助于降低整体电路板的尺寸，还提高了散热效率。
高效能：该MOSFET在输入电容（Ciss）上表现出色，最大值2147pF（@ 15V），这意味着在开关频率较高的应用中，可以有效降低由切换引起的能量损失。此外，栅极电荷（Qg）最大值为51nC（@ 10V），进一步提升了其在高频操作下的开关性能。
应用场景
DMP3018SFV-7广泛应用于电源转换、电机控制、自动化设备、消费电子、LED驱动等领域。尤其是在以高效能为目标的应用中，该MOSFET可以有效地减少能量损耗，提高系统整体效率，并确保系统的稳定与可靠。
结论
综上所述，DMP3018SFV-7凭借其优异的电气特性、良好的热性能以及小型化封装，成为许多高效能电源管理和控制应用的理想选择。无论是在消费类电子产品还是工业设备中，它都能够在极端条件下保证出色的性能表现，是设计工程师非常值得信赖的元器件。