DMP3028LFDE-7
DMP3028LFDE-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1241pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 660mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（E 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP3028LFDE-7手册
DMP3028LFDE-7概述
DMP3028LFDE-7 产品概述
DMP3028LFDE-7 是由知名电子元件制造商 DIODES（美台）推出的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。这款 MOSFET 以其优异的电气特性和封装设计，为电源管理、开关电路以及许多其他电子应用提供了可靠的解决方案。
1. 基本参数
DMP3028LFDE-7 的极限参数表现卓越。该器件的漏源电压（Vdss）为 30V，允许在相对较高的电压条件下工作，适合于多种应用场景。同时，它的连续漏极电流（Id）最大为 6.8A（在 25°C 环境温度下），使其能够承受较高的电流负载而不至于损坏。这一特性在电机驱动、电源转换器及负载切换应用中尤为重要。
2. 导通电阻和驱动电压
作为 MOSFET，DMP3028LFDE-7 的导通电阻（Rds(on)）在最大值可低至 32 毫欧（在 7A 和 10V 的条件下）。低导通电阻代表着更高的效率和更少的能量损失，尤其在高电流应用中，这一点至关重要。此外，该器件的驱动电压允许在 4.5V 至 10V 范围内进行选择，使其能够适应多种控制电路的需求。
3. 栅极阈值电压和输入电容
DMP3028LFDE-7 的栅极阈值电压（Vgs(th)）在最大值为 2.4V（在 250µA 时），证明其能够在较低的栅极驱动电压下有效导通。此外，该型号的输入电容（Ciss）在不同 Vds 条件下最大为 1241pF（在 15V 时），这一特性对于开关频率较高的电路设计尤其重要，因为较小的输入电容意味着更快的响应时间和更高的开关效率。
4. 功率耗散与工作温度
DMP3028LFDE-7 可承受的功率耗散最大为 660mW（在 25°C 环境温度下），使其在高负载工作条件下仍然能够保持稳定性。器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，极大地扩展了其应用场景，包括汽车、工业控制和消费电子等领域。
5. 封装与安装类型
该 MOSFET 采用表面贴装型（SMD）封装，型号 U-DFN2020-6（E 类），其具有优良的散热能力和占用空间小的优势。在现代电子设备中，小型化和集成度高的设计趋势使得这种封装形式的器件越来越受欢迎。
6. 应用场景
DMP3028LFDE-7 可以广泛应用于各种电子元件的电源管理、负载开关、模拟开关以及类比电路中，尤其适合用于需要高效率和小体积的应用。其高电流和低导通阻抗的特性也使其非常适合用在高性能开关电源、直流-直流转换器和电源路径开关等。
7. 总结
作为一款高性能的 P 通道 MOSFET，DMP3028LFDE-7 提供了一系列出色的电气特性和优秀的封装设计，使其在各种应用场景中均表现出色。随着对能源效率和高性能电子产品需求的不断增长，该器件无疑是电子设计工程师的理想选择。通过合理的设计和应用，这款 MOSFET 可以帮助实现更高效的电路设计，推动现代电子技术的发展。