注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN2044UCB4-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-WLB1010-4
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 720mW 20V 3.3A 1个N沟道 U-WLB1010-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.49按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.49
--
100+
￥1.15
--
750+
￥0.959
--
1500+
￥0.872
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2044UCB4-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 720mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-WLB1010-4 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，WLBGA |
DMN2044UCB4-7手册
无数据
DMN2044UCB4-7概述
DMN2044UCB4-7 产品概述
一、产品简介
DMN2044UCB4-7是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应管），由美台（DIODES）公司生产。其主要特点为：最大漏源电压达到20V，持续漏极电流可达3.3A，并具有低导通电阻（Rds(on)）和较高的工作温度范围，使其在多种应用环境中都能保持卓越的性能。
二、主要参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 25°C时电流 - 连续漏极（Id）: 3.3A
- 驱动电压（Vgs）: 最小1.5V，最大4.5V
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值40毫欧（在1.5A，4.5V时）
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值900mV（在250µA时）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值47nC（在8V时）
- 最大Vgs: ±8V
- 输入电容（Ciss）: 最大值1400pF（在10V时）
- 功率耗散（Pd）: 最大值720mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: 表面贴装型（U-WLB1010-4）
三、应用领域
DMN2044UCB4-7因其高效能和广泛的工作条件适合多种电路设计应用，包括但不限于：
- DC-DC转换器: 由于其低电阻特点，高效能转换电能的需求使其成为理想选择。
- 电机驱动: 在电机控制电路中，DMN2044UCB4-7能够高效开关，降低热损耗。
- 电子负载与开关电路: 适用于需要迅速开关的高功率负载应用。
- 电源管理: 在现代电源控制系统中，以保证高效能和稳定性。
四、技术优势
- 低导通电阻: DMN2044UCB4-7的导通电阻低至40毫欧，极大地减少了功率损耗，提升了整体系统的能效，特别适合需要大电流的应用。
- 高电流处理能力: 连续漏极电流为3.3A，使其能胜任许多中等负载的应用。
- 宽温度范围: 工作温度范围从-55°C至150°C，适应恶劣的工作环境，适合在高温或低温环境中使用的场合。
- 有效驱动电压: 该MOSFET在1.5V至4.5V的驱动电压范围内都有较好的性能表现，为系统设计带来了灵活性。
五、封装与安装
DMN2044UCB4-7采用U-WLB1010-4表面贴装封装（4-UFBGA），这让它在现代电子设备中的集成和散热变得更加高效。表面贴装型设计还使其能够节省空间，适合于对面积有严格要求的电子产品。
六、总结
DMN2044UCB4-7是一款设计精良且高效能的N通道MOSFET，结合了多种优良特性，使其在电源管理、DC-DC转换器、电机驱动及多种开关电路中表现出色。凭借其宽广的工作温度范围和耐用的设计，DMN2044UCB4-7能够满足广泛的工业和消费电子应用需求。对于寻求高效能和可靠性的电子设计工程师来说，这是一个理想的选择。