DMN61D8LVTQ-7
DMN61D8LVTQ-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 150mA，5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12.9pF @ 12V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.74nC @ 5V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 820mW |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
DMN61D8LVTQ-7手册
DMN61D8LVTQ-7概述
产品概述：DMN61D8LVTQ-7
DMN61D8LVTQ-7 是一款高性能的双N沟道场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件制造商DIODES（美台）生产。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，封装类型为TSOT-26，适合现代电子产品中对空间和性能的高要求。其具有出色的导通性能和热稳定性，广泛应用于各种低功耗和高频率的电子电路中。
关键参数与应用
导通电阻与电流能力： DMN61D8LVTQ-7 在最大值为1.8Ω 的导通电阻条件下（在150mA和5V Vgs时），显示出优秀的导通性能，这对于高效电源开关和负载驱动应用尤为重要。同时，该器件能够支持高达630mA的连续漏电流（Id），意味着它可用于多个负载要求较高的电路，大大提高了其适用范围。
电压和功率处理能力： 该MOSFET的漏源电压（Vds）高达60V，适合用于中等电压的应用场合，能有效支撑各种电源管理和电机控制电路。此外，其最大功率可达820mW，确保在高功率操作时仍然能够维持稳定性能。
栅极电压与栅极电荷： DMN61D8LVTQ-7的阈值电压（Vgs(th)）在1mA电流下最大值为2V。这表明该MOSFET适合逻辑电平驱动，方便与微控制器或其他逻辑电路直接配合工作。而其最大栅极电荷（Qg）为0.74nC @5V，优良的栅电荷特性使其在面对高频开关操作时，减少了驱动电路对电源的压力。
输入电容和高频特性： 在Vds条件下，其输入电容（Ciss）最大为12.9pF @ 12V，表明在高频应用下仍能有效减少信号损失，提升电路工作效率。这使得DMN61D8LVTQ-7在开关电源、DC-DC转换器及射频应用中表现出色。
温度范围： 该器件能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内正常工作，使其在高温或低温环境下依旧稳定，特别适合用于严苛的工业和汽车应用。
应用领域
DMN61D8LVTQ-7适用于广泛的应用场合，包括但不限于：
- 电源管理系统：在DC-DC转换器和电源分配电路中，进行效率优化和电流控制。
- 汽车电子：在汽车内部电源管理与驱动电路中，承担电池管理与负载开关功能。
- 小型家电：由于其低功耗特性，可用于小型电器中的控制电路。
- 通信设备：适合高频开关操作，应用于RF和信号处理系统中。
结论
DMN61D8LVTQ-7以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围及符合逻辑电平的特性，成为了现代电子设计中的理想选择。无论是在家用电器、信息技术设备、汽车电子还是工业控制领域，它都是确保高效能和可靠性的出色解决方案。作为一款双N沟道MOSFET，DMN61D8LVTQ-7充分展现了DIODES（美台）在半导体技艺方面的领先地位及持续创新的决心，对工程师和设计师而言，提供了可靠的选择。