DZT5551Q-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DZT5551Q-13

商品编码: BM0185824407
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 2W 160V 600mA NPN SOT-223-3
库存 :
1330(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.63
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.63
--
100+
¥1.25
--
1250+
¥1.06
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DZT5551Q-13参数

制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带(TR)零件状态有源
晶体管类型NPN不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V
频率 - 跃迁300MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)160V功率 - 最大值2W

DZT5551Q-13手册

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DZT5551Q-13概述

DZT5551Q-13 产品概述

在现代汽车电子和各种工业应用中,可靠的电子元件是确保系统稳定性和性能的关键。DZT5551Q-13是由Diodes Incorporated推出的一款高性能NPN晶体管,专为汽车和工业应用而设计,符合AEC-Q101汽车质量标准。本文将重点介绍该器件的性能参数、适用领域及其应用优势。

一、基础参数及特性

DZT5551Q-13晶体管采用SOT-223封装,具有小型化和轻量化的优势。其关键性能参数如下:

  • 极限电压与电流:该器件具有最大集射极击穿电压(Vceo)为160V,集电极最大电流(Ic)可达600mA,能够处理高电压、低电流的应用场景。
  • 功率处理能力:DZT5551Q-13的最大功率评级为2W,使其能在高负载环境中稳定运行。
  • 电压饱和特性:在典型工作条件下,当基极电流(Ib)为5mA和50mA时,其集电极饱和电压(Vce(sat))最大值为200mV,表明该器件在低基极电流下仍能保持良好的开关特性。
  • 增益特性:在10mA的集电极电流与5V的电压条件下,DZT5551Q-13具有最小直流电流增益(hFE)为80,确保在一定范围内的负载变化下能保持良好的信号放大能力。
  • 频率响应:其跃迁频率达到300MHz,适合高频信号处理。

二、工作温度范围

DZT5551Q-13的工作温度范围为-55°C到150°C(TJ),这使得该器件在极端环境下依旧能保持高效运行,适合于汽车、航空等要求严格的应用场景。

三、应用领域

DZT5551Q-13主要应用于以下几个领域:

  • 汽车电子:由于其符合AEC-Q101标准,该器件适用于各种汽车电子控制模块,包括发动机管理系统、车身控制单元等。
  • 工业控制:可用于自动化设备的信号放大和开关控制,以实现对电机和其他负载的高效控制。
  • 消费电子:在电源管理电路、音频放大器等领域也能发挥出色的作用。

四、市场优势

DZT5551Q-13晶体管的设计目标是提供高效率和高可靠性,特别在其长达150°C的工作温度范围内表现尤为出色。相较于同类产品,DZT5551Q-13在饱和电压、增益与频率响应等方面表现更为优异,为设计师提供了更多的灵活性和可靠性。

此外,该器件的小尺寸和表面贴装设计(SOT-223)使其易于集成到现代小型电子设备中,为开发紧凑型、高性能的电子产品提供了强大的支持。

五、总结

DZT5551Q-13来自Diodes Incorporated,是一款专为高要求应用设计的NPN晶体管。凭借其优越的电气性能、广泛的温度适应性及符合汽车质量标准的特点,DZT5551Q-13在多个应用领域展现出了巨大的市场潜力。对于需要高效率、高可靠性和高性能的设计师而言,DZT5551Q-13无疑是一个极具吸引力的选择。