制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
晶体管类型 | NPN | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 160V | 功率 - 最大值 | 2W |
在现代汽车电子和各种工业应用中,可靠的电子元件是确保系统稳定性和性能的关键。DZT5551Q-13是由Diodes Incorporated推出的一款高性能NPN晶体管,专为汽车和工业应用而设计,符合AEC-Q101汽车质量标准。本文将重点介绍该器件的性能参数、适用领域及其应用优势。
DZT5551Q-13晶体管采用SOT-223封装,具有小型化和轻量化的优势。其关键性能参数如下:
DZT5551Q-13的工作温度范围为-55°C到150°C(TJ),这使得该器件在极端环境下依旧能保持高效运行,适合于汽车、航空等要求严格的应用场景。
DZT5551Q-13主要应用于以下几个领域:
DZT5551Q-13晶体管的设计目标是提供高效率和高可靠性,特别在其长达150°C的工作温度范围内表现尤为出色。相较于同类产品,DZT5551Q-13在饱和电压、增益与频率响应等方面表现更为优异,为设计师提供了更多的灵活性和可靠性。
此外,该器件的小尺寸和表面贴装设计(SOT-223)使其易于集成到现代小型电子设备中,为开发紧凑型、高性能的电子产品提供了强大的支持。
DZT5551Q-13来自Diodes Incorporated,是一款专为高要求应用设计的NPN晶体管。凭借其优越的电气性能、广泛的温度适应性及符合汽车质量标准的特点,DZT5551Q-13在多个应用领域展现出了巨大的市场潜力。对于需要高效率、高可靠性和高性能的设计师而言,DZT5551Q-13无疑是一个极具吸引力的选择。