FZT651QTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FZT651QTA

商品编码: BM0185824406
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 3W 60V 3A NPN SOT-223-3
库存 :
1637(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.29
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.29
--
50+
¥1.76
--
1000+
¥1.47
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT651QTA参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值3W频率 - 跃迁175MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

FZT651QTA手册

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FZT651QTA概述

产品概述:FZT651QTA

概述

FZT651QTA是一款高性能的NPN型晶体管,专为需要高电流和高电压应用而设计。其能够承受最大3A的集电极电流(Ic)和60V的集射极击穿电压(Vce),使其在广泛的电源管理和开关应用中表现出色。优越的电流增益和较低的饱和压降使其在高效能要求的场景中尤其受欢迎。

主要特点

  1. 晶体管类型:NPN
  2. 最大集电极电流 (Ic): 3A
  3. 最大集射极击穿电压 (Vce): 60V
  4. 最大饱和压降 (Vce(sat)): 600mV @ 300mA,3A
  5. 集电极截止电流 (ICBO): 100nA
  6. 最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 500mA,2V
  7. 最大功率: 3W
  8. 频率响应: 175MHz
  9. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
  10. 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  11. 封装: SOT-223,TO-261-4,TO-261AA

应用领域

FZT651QTA广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理和信号放大等多个领域。以下是一些具体应用场景:

  • 开关电源:由于其高集电极电流能力和较低的饱和电压,FZT651QTA非常适合用于高效开关电源。
  • 音频放大器:其175MHz的频率响应也使其在音频信号放大器中有良好的表现,能够传输高频信号而不会产生明显的失真。
  • 继电器驱动:用户可以利用此款晶体管驱动各种固态继电器和电磁继电器,有效提升控制电路的性能。
  • LED驱动:能够在高电流环境下稳定工作,使其适合用于高功率LED的驱动电路。
  • 电机控制:在小型电机控制应用中,FZT651QTA也能提供出色的性能,支持多种电机驱动方式。

性能优势

  • 高效率:最低的饱和压降600mV在300mA和3A下运作,保证了晶体管在开关状态下的能效,减小了功耗。
  • 宽工作温度:其可在-55°C到150°C的环境温度下稳定工作,使其能够在极端工况下使用,增加了设计的灵活性。
  • 小封装:采用SOT-223封装,使其适合小型化和高密度电路板的设计需求,节约了空间,提高了集成度。

购买与供应

FZT651QTA由DIODES(美台)品牌生产,符合工业标准,并经过严格测试以确保质量和性能稳定。采购时,用户应选择受信赖的分销商以获得真实可靠的产品。

结论

综上所述,FZT651QTA是一款功能强大、多用途的NPN晶体管,适合各种高电压高电流应用。它不仅具备优异的电气性能和温度适应能力,还能满足现代电子设备对高性能和小型化的要求。无论是在设计新项目还是在现有产品中更新优化,FZT651QTA都是理想的选择。