DDTC143TE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC143TE-7-F

商品编码: BM0185824379
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.242
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.242
--
200+
¥0.156
--
1500+
¥0.136
--
3000+
¥0.12
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC143TE-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,2.5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTC143TE-7-F手册

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DDTC143TE-7-F概述

产品概述:DDTC143TE-7-F

1. 产品简介

DDTC143TE-7-F是一款数字晶体管,属于NPN类型,特别设计为预偏置器件。该器件具有较高的电流增益与良好的频率特性,适用于各种小信号开关和放大应用。其紧凑的SOT-523封装使得其在空间有限的电子电路中得以广泛应用。

2. 基本规格

  • 晶体管类型:NPN-预偏压
  • 集电极电流 (Ic):最大值为100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为50V
  • 基极电阻 (R1):4.7 kΩ
  • 直流电流增益 (hFE):在Ic为1mA和Vce为5V时,最小值为100
  • 饱和压降 (Vce, sat):最大值为300mV,测试条件为250µA集电极电流和2.5mA基极电流
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为500nA
  • 频率 - 跃迁:可达到250MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 封装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 品牌:DIODES(美台)

3. 性能特点

DDTC143TE-7-F具有许多优越的电气性能,使其在数字电路和模拟电路设计中成为一种理想选择。其NPN配置和预偏压特性能够有效地提升电流放大能力,在开关应用中表现出更佳的可靠性。频率响应高达250MHz,这使得它适用于高频开关和射频应用,提高了设计的灵活性。

在工作过程中,DDTC143TE-7-F表现出的低饱和压降(300mV)和低集电极截止电流(500nA)使其更为适合在低功耗和高效率的系统中使用。这种特性尤为重要,在移动设备和便携式电子产品中,有助于延长电池使用寿命。

4. 应用领域

DDTC143TE-7-F可以应用于各类电子产品和系统中,包括但不限于:

  • 便携式电子设备:如手机、平板电脑等,要求低功耗和小型化设计。
  • 数字电路:在转换器、逻辑电路及信号处理器件中作为开关或放大器。
  • 汽车电子:在传感器、微控制器及小信号放大应用中提供可靠的信号处理。
  • 工业控制系统:用于创建高效的开关电路,帮助实现精准的控制和监控。

5. 设计考量

在设计电路时,使用DDTC143TE-7-F需要注意其电源电压、工作电流、环境温度等因素。在高频应用中,确保布局和走线的合理性尤为重要,以减少寄生电容和电感对频率响应的影响。适当的散热设计同样是必不可少的,以确保器件在150mW的最大功率下稳定运行。

6. 总结

DDTC143TE-7-F是一款优秀的数字晶体管,凭借其卓越的性能、灵活的应用和小型化的设计,能够适应众多现代电子产品的需求。无论是在便携式设备、数字电路还是高频应用中,它都能发挥重要作用。采购这个产品时,不仅要关注其主要电气特性,还要考虑到其在特定设计中的实际表现与兼容性,以实现最佳的系统集成效果。