晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,2.5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTC143TE-7-F是一款数字晶体管,属于NPN类型,特别设计为预偏置器件。该器件具有较高的电流增益与良好的频率特性,适用于各种小信号开关和放大应用。其紧凑的SOT-523封装使得其在空间有限的电子电路中得以广泛应用。
DDTC143TE-7-F具有许多优越的电气性能,使其在数字电路和模拟电路设计中成为一种理想选择。其NPN配置和预偏压特性能够有效地提升电流放大能力,在开关应用中表现出更佳的可靠性。频率响应高达250MHz,这使得它适用于高频开关和射频应用,提高了设计的灵活性。
在工作过程中,DDTC143TE-7-F表现出的低饱和压降(300mV)和低集电极截止电流(500nA)使其更为适合在低功耗和高效率的系统中使用。这种特性尤为重要,在移动设备和便携式电子产品中,有助于延长电池使用寿命。
DDTC143TE-7-F可以应用于各类电子产品和系统中,包括但不限于:
在设计电路时,使用DDTC143TE-7-F需要注意其电源电压、工作电流、环境温度等因素。在高频应用中,确保布局和走线的合理性尤为重要,以减少寄生电容和电感对频率响应的影响。适当的散热设计同样是必不可少的,以确保器件在150mW的最大功率下稳定运行。
DDTC143TE-7-F是一款优秀的数字晶体管,凭借其卓越的性能、灵活的应用和小型化的设计,能够适应众多现代电子产品的需求。无论是在便携式设备、数字电路还是高频应用中,它都能发挥重要作用。采购这个产品时,不仅要关注其主要电气特性,还要考虑到其在特定设计中的实际表现与兼容性,以实现最佳的系统集成效果。