DDTA114TE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA114TE-7-F

商品编码: BM0185824363
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.262
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.262
--
200+
¥0.17
--
1500+
¥0.147
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA114TE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 100µA,1mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTA114TE-7-F手册

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DDTA114TE-7-F概述

产品概述:DDTA114TE-7-F

DDTA114TE-7-F是一款高性能的数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)设计,封装规格为SOT-523。此器件由美台(DIODES)公司制造,专为现代电子应用提供卓越的性能,尤其适用于低功耗和高密度的电路设计。其主要特性包括PNP型预偏置结构、100mA的最大集电极电流、50V的集射极击穿电压、以及150mW的功率承受能力。这些性能使得DDTA114TE-7-F成为电子设备中理想的信号开关或放大器。

主要参数

  1. 晶体管类型:DDTA114TE-7-F是一款PNP类型的预偏置晶体管,具有良好的线性和开关特性,使其在各种模拟和数字电路中表现优异。

  2. 电流承受能力

    • 最大集电极电流(Ic): 100mA,适用于低功耗应用。
    • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为500nA,表明其在关闭状态下的泄漏电流非常微小,有助于提高电路的整体效率。
  3. 电压特性

    • 集射极击穿电压(Vce):具有50V的较高击穿电压,增强了在高电压应用中的稳定性和可靠性。
    • Vce饱和压降:优异的性能,最大值仅为300mV(在100µA和1mA下),减少了开关损耗,使其适合于要求低功耗的电路设计。
  4. 增益特性

    • 该产品在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)情况下,具备最小值为100的直流电流增益(hFE)(在1mA和5V条件下测试),提供了良好的信号放大能力。
  5. 频率特性:该晶体管的跃迁频率为250MHz,能够满足高频应用的需求,适合在高速开关和信号处理电路中使用。

  6. 功率能力:DDTA114TE-7-F的最大功率为150mW,保证了在高负载条件下的稳定性和可靠性,非常适合用于各种电源管理和开关电路中。

  7. 设计与封装:作为表面贴装型元器件,SOT-523封装适合当前主流的PCB设计,以极小的占用面积实现高效性能。同时,表面贴装设计便于自动化生产和集成,可以有效降低生产成本。

应用领域

DDTA114TE-7-F广泛应用于以下领域:

  • 消费电子:在智能手机、平板电脑、音响设备等消费电子产品中,作为开关和放大器使用。
  • 电源管理:在各种电源管理电路中实现高效的信号处理,确保了设备的稳定运行。
  • 通讯设备:在无线通讯及网络设备内,提供信号放大和切换功能,保障通信质量。
  • 工业设备:在工业控制系统中,作为信号调理和处理元件,增强系统的可靠性。

总结

DDTA114TE-7-F数字晶体管以其卓越的电性能、紧凑的表面贴装设计及美台的品牌信誉,成为电子设计工程师首选的元器件之一。无论是在提高电路的开关效率、降低能耗,或是提升信号处理能力方面,该产品均能提供优越的解决方案。作为现代电子设备中的关键组件,DDTA114TE-7-F无疑为众多应用提供了强有力的支持。