BZT52HC11WF-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BZT52HC11WF-7

商品编码: BM0185824359
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOD123F
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
单管二极管 齐纳 11 V 375 mW SOD-123F 2 引脚 150 °C 表面安装
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.249
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.249
--
200+
¥0.16
--
1500+
¥0.139
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZT52HC11WF-7参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)11V容差±5.45%
功率 - 最大值375mW阻抗(最大值)(Zzt)10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 8V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123F供应商器件封装SOD-123F

BZT52HC11WF-7手册

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BZT52HC11WF-7概述

BZT52HC11WF-7 产品概述

BZT52HC11WF-7 是由 DIODES (美台) 生产的一款单管齐纳二极管,具有极佳的稳定性和性能,广泛应用于各类电子设备中。此器件特别适合在电压稳压和过压保护等场景中使用,其标称齐纳电压为 11 V,具有高达 375mW 的功率处理能力,能够为电路提供可靠的电压参考和保护。

重要参数

  1. 电压特性:

    • 齐纳电压(Vz): 11 V,适合在需要11V稳压的电路中使用。
    • 容差: ±5.45%,保证了对锂电池和其他电源供应的可靠性。
    • 反向泄漏电流: 100nA @ 8V,确保高效的工作,并且在高温和大电压下保持最低的能量损耗。
  2. 功率和阻抗:

    • 最大功率: 375 mW,这使得该齐纳二极管在多种应用中具备良好的承载能力。
    • 最大阻抗 (Zzt): 10 Ohms,表明在工作时,器件的输出电压变化相对较小,有助于维持电路稳定性。
  3. 电流特性:

    • 正向电压 (Vf): 900mV @ 10mA,表示此二极管在正向导通时所需的电压,对于设计功率放大电路或信号处理系统具有指导意义。
  4. 环境适应性:

    • 工作温度范围: -65°C ~ 150°C,确保在极端环境条件下的可靠工作,非常适合航空航天、汽车电子及工业控制等领域。
  5. 封装与安装:

    • 安装类型: 表面贴装型 (SMD),封装尺寸为 SOD-123F,而该封装类型使得该器件非常适合高密度电路板的设计需求。
    • 供应商器件封装: SOD-123F,保证了与市场主流设备的兼容性,方便大规模生产和应用。

应用场景

BZT52HC11WF-7 齐纳二极管广泛应用于多种电子电路中,主要包括以下几个场景:

  • 电压稳压: 该器件能够在各种不稳定电源环境中提供稳定的输出电压,保证后续电路组件的安全稳定工作。
  • 过压保护: 在电源系统发生短路或过压时,BZT52HC11WF-7 能够有效地限制电压,保护敏感组件免受损害。
  • 信号处理: 具有良好的输入阻抗和稳定的电压特性,可以作为信号修正器使用,保证信号的完整性。
  • 电源适配器: 在开关电源和适配器设计中,此齐纳二极管常被用于调节输出电压,以提升适配器的整体性能。

结论

作为一款高性能的齐纳二极管,BZT52HC11WF-7 不仅拥有卓越的电气参数和良好的环境适应性,而且在实际应用中表现出了极好的稳定性和可靠性。它是设计工程师在需要提供严格电压参考或过压保护时的优先选择。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子等领域,BZT52HC11WF-7 都能够完美融入各种电路设计,确保设备的正常运行与安全防护。选择 BZT52HC11WF-7,您将拥有高效、经济、可靠的电路解决方案。