电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 11V | 容差 | ±5.45% |
功率 - 最大值 | 375mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 8V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOD-123F | 供应商器件封装 | SOD-123F |
BZT52HC11WF-7 是由 DIODES (美台) 生产的一款单管齐纳二极管,具有极佳的稳定性和性能,广泛应用于各类电子设备中。此器件特别适合在电压稳压和过压保护等场景中使用,其标称齐纳电压为 11 V,具有高达 375mW 的功率处理能力,能够为电路提供可靠的电压参考和保护。
电压特性:
功率和阻抗:
电流特性:
环境适应性:
封装与安装:
BZT52HC11WF-7 齐纳二极管广泛应用于多种电子电路中,主要包括以下几个场景:
作为一款高性能的齐纳二极管,BZT52HC11WF-7 不仅拥有卓越的电气参数和良好的环境适应性,而且在实际应用中表现出了极好的稳定性和可靠性。它是设计工程师在需要提供严格电压参考或过压保护时的优先选择。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子等领域,BZT52HC11WF-7 都能够完美融入各种电路设计,确保设备的正常运行与安全防护。选择 BZT52HC11WF-7,您将拥有高效、经济、可靠的电路解决方案。