DDTC144VCA-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC144VCA-7-F

商品编码: BM0185824340
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.238
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.238
--
200+
¥0.154
--
1500+
¥0.134
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC144VCA-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)47 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)33 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

DDTC144VCA-7-F手册

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DDTC144VCA-7-F概述

产品概述: DDTC144VCA-7-F 数字晶体管

概述

DDTC144VCA-7-F 是一款来自美台电子(DIODES)公司制造的高性能 NPN 类晶体管,采用预偏置设计,专为各种电子应用而设计。这款晶体管主要采用 SOT-23 表面贴装封装,具备小型化、高效率的特点,适用于空间受限的电路板设计。

关键特性

  1. 电流和电压规格

    • 集电极电流 (Ic):本产品的最大集电极电流为 100mA,能够满足多种中低功耗电子电路的需求。
    • 集射极击穿电压 (Vce):具有高达 50V 的集射极击穿电压,意味着在高电压应用中也能安全稳定地工作。
  2. 电流增益 (hFE)

    • 在特定条件下,该晶体管的直流电流增益 (hFE) 至少为 33,这意味着在低基极电流(Ib)条件下仍能够提供较高的集电极电流(Ic),从而实现良好的放大性能。
  3. Vce 饱和压降

    • 较低的饱和压降(最大值 300mV)确保在工作时能有效降低热耗散,提供良好的功率效率,延长器件的使用寿命,特别是在负载变化频繁的应用中。
  4. 截止电流

    • 本产品的最大集电极截止电流为 500nA,确保在静态状态下不会显著耗电,适合用于低功耗设计。
  5. 频率性能

    • 器件的跃迁频率高达 250MHz,保证了在高频信号应用中的可靠性,适合用于开关电源、放大器等高速电路。
  6. 功率处理能力

    • 该晶体管能够承受最高 200mW 的输入功率,适合多种信号处理和功率管理应用。

应用场景

DDTC144VCA-7-F 广泛应用于各种电子设备和电路,包括但不限于:

  • 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和音响设备中的信号放大和开关控制。
  • 通信设备:在发射和接收模块中,用于信号放大和数字信号处理。
  • 工业控制:用于电机驱动电路和传感器接口,以实现对设备的精确控制。

电路设计注意事项

在实际应用中,设计人员在使用 DDTC144VCA-7-F 时,需要注意以下几点:

  1. 基极电阻和发射极电阻值

    • 为实现最佳性能,建议基极电阻 R1 设定为 47 kΩ,发射极电阻 R2 设定为 10 kΩ,以确保晶体管工作在合适的放大区域,最大化增益和稳定性。
  2. 散热设计

    • 尽管功率处理能力为 200mW,但在高功率状态下,仍需考虑散热管理,以避免器件过热导致性能下降或失效。
  3. PCB 布局要求

    • 鉴于其 SOT-23 封装的特点,设计 PCB 时,应遵循良好的布局规则,以最小化寄生电感和电阻,从而提高信号完整性和设备的可靠性。

结论

DDTC144VCA-7-F 数字晶体管是一款高效、可靠的 NPN 预偏置器件,凭借其优越的电气特性和极小的封装设计,成为各类电子应用中理想的选择。无论是在信号处理还是在高频开关应用中,它都能提供出色的性能。通过合理的电路设计和布局,该晶体管能够满足现代电子设备对性能和可靠性的高要求。