制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5.5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 6V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 11V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3A(8/20µs) |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 6pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0201(0603 公制) |
供应商器件封装 | X3-DFN0603-2 | 双向通道 | 1 |
D5V0Q1B2LP3-7是由Diodes Incorporated制造的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,专为电源线路保护和信号线的瞬态防护设计。此器件在各种应用中具有广泛的适用性,例如消费电子、工业设备、通信设备及汽车电子等领域。其紧凑的0201(0603公制)封装使其非常适合于现代小型化设备中的表面贴装设计。
反向断态电压: 该器件的反向断态电压典型值为5.5V,而最小击穿电压达到6V,能够为电子设备提供有效的防护,在过压事件发生时自动将电压限制在安全范围内。
电压箝位特性: 在不同Ipp(峰值脉冲电流)条件下,D5V0Q1B2LP3-7的最大箝位电压为11V,进一步增强了对设备的保护能力,能够在脉冲条件下迅速响应并限压。
脉冲电流能力: 此TVS二极管能够承受高达3A的峰值脉冲电流,在10/1000µs的脉冲条件下表现良好,适合处理来自静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)的瞬态干扰。
频率响应: D5V0Q1B2LP3-7在1MHz的工作频率下显示出仅为6pF的电容,这使得其在高频应用中也能保持优良的性能表现,减少信号失真。
宽温范围: 此器件的工作温度范围为-65°C到150°C,可以在极端环境下可靠工作,为各种工业和汽车应用提供了保障。
单通道设计: D5V0Q1B2LP3-7为双向单通道设计,适合于需要双向保护的信号线和电源线应用,操作灵活性高。
D5V0Q1B2LP3-7适合于多种领域,包括但不限于:
D5V0Q1B2LP3-7设计了紧凑的0201封装,便于现代高密度pcb设计。同时,低引线电感和低寄生电容的特点使其适合用于高速信号的环路设计,能够很好的削弱信号在不必要的情况下的衰减和失真。
D5V0Q1B2LP3-7是一款高效能、可靠性强的TVS二极管,其卓越的电气特性使其在众多电子设备中扮演着至关重要的角色。作为Diodes Incorporated的产品之一,它不仅具备卓越的瞬态电压抑制能力,还能在极端环境下保持高性能,极大地提升电子产品的稳定性和使用寿命,是工程师在设计电路时的理想选择。