晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DDA113TU-7-F 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能数字晶体管,属于表面贴装型封装,并采用了 SOT-363 封装形式。这种数字晶体管具有预偏置功能,内置两个 PNP 晶体管,非常适合在需要较低电流控制和信号开关的应用场景中使用。其在低功耗驱动、高频开关和信号放大方面表现出色,广泛应用于消费电子、通信设备及其他智能电子产品中。
晶体管类型:DDA113TU-7-F 采用了两个 PNP 预偏压式晶体管设计,这意味着它可以在较低的启动电压下工作,适合用于各种敏感应用。
集电极电流 (Ic):最大为 100mA,能够支持相对较大的信号电流,为电路提供良好的驱动能力,确保使用时的稳定性和可靠性。
集射极击穿电压 (Vce):最大可达 50V,这使得它能够在较高电压环境中工作,减少了在高电压情况下电路损坏的风险。
DC 电流增益 (hFE):在 1mA 和 5V 的条件下,最小值为 100,显示出其较强的增益能力,适用于信号放大。
Vce 饱和压降:在 1mA 和 10mA 时,最大值为 300mV,这一较低的饱和压降有助于提高功率效率,减少功耗,优化整体电路性能。
跃迁频率:可达 250MHz,表明其具有良好的高频响应,适合用于要求高速开关的应用。
功率:最大功率为 200mW,这是在合理的工作条件下能够承受的最大功耗,适合低功率电子设备。
安装类型:表面贴装型设计,使其在集成电路板上的布局更加紧凑,便于现代设备的小型化设计。
封装规格:采用 SOT-363 封装,符合现代电子产品对空间和散热的严苛要求。
DDA113TU-7-F 蕴含着丰富的应用潜力,特别是在以下几个方面表现突出:
消费电子:在电视机、便携式音响、智能手机等设备中,该器件可用于音量控制、信号放大,以及与传感器的信号调理等。
通信设备:可被广泛应用于基站、路由器及其他通信工具中,作为信号的开关与放大器,提高信号传输效率。
自动化设备:在自动化和机器人技术中,DDA113TU-7-F 提供的高频性能和低功耗特性,可以有效支持各种控制信号的处理。
高效性与可靠性:凭借其较高的电流增益和低饱和压降,DDA113TU-7-F 显著提升了电路的功率效率,减少了电源需求。
紧凑性:SOT-363 封装设计适应现代电子设备对空间的效率要求,使其更易于集成到复杂的电路中。
高性能:250MHz 的跃迁频率使 DDA113TU-7-F 在高频信号处理上表现出色,适合于现代高速通讯要求。
应用广泛:由于其高集电极电流能力和耐高压特性,适用于多个领域的多种电子产品,保证了其在市场上的竞争性。
作为一款高性能的数字晶体管,DDA113TU-7-F 充分运用了现代半导体技术的优势,结合了高集电极电流能力、良好的频率响应和低功耗特性。它不仅为设计师在多种应用场合提供了可靠的选择,同时也为电子设备的高效能和长寿命奠定了基础。无论是在消费电子、通信设备还是自动化系统中,DDA113TU-7-F 都将是一款值得信赖的关键元件。